摘要：如图3中的甲所示.abcd为导体做成的框架.其平面与水平面成角.质量为m的导体棒PQ与ad.bc接触良好.回路的总电阻为R.整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中.磁场的磁感应强度B随时间t的变化情况如图3中的乙所示(设图甲中B的方向为正方向).若PQ始终静止.关于PQ与框架间的摩擦力在0-时间内的变化情况.以下对摩擦力变化情况的判断可能的是( )A.一直增大 B.一直减小 C.先减小后增大 D.先增大后减小
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角，质量为ｍ的导体棒ＰＱ与ａｄ、ｂｃ接触良好，回路的总电阻为Ｒ，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度Ｂ随时间ｔ的变化情况如图3中的乙所示（设图甲中Ｂ的方向为正方向）。若ＰＱ始终静止，关于ＰＱ与框架间的摩擦力在0-
时间内的变化情况，以下对摩擦力变化情况的判断可能的是（ ）
角，质量为ｍ的导体棒ＰＱ与ａｄ、ｂｃ接触良好，回路的总电阻为Ｒ，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度Ｂ随时间ｔ的变化情况如图3中的乙所示（设图甲中Ｂ的方向为正方向）。若ＰＱ始终静止，关于ＰＱ与框架间的摩擦力在0-
时间内的变化情况，以下对摩擦力变化情况的判断可能的是（ ）