摘要:如题25图.离子源A产生的初速为零.带电量均为e.质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管.垂直射入匀强偏转电场.偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场.经过一段匀速直线运动.垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场.已知HO=d.HS=2d.=90°. (1)求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角, (2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径, (3)若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点处.质量为16m的离子打在 处.求和之间的距离以及能打在NO上的正离子的质量范围. 解析:

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