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（1）H2SO3转化为硫酸是酸雨形成的重要过程之一，写出其反应的化学方程式：
（2）Ba2+有剧毒．我市曾发生一起“毒烧饼”事件，起因是烧饼摊主在制作烧饼的过程中误将有毒化工原料碳酸钡当作干粉使用，导致多人中毒．试用化学方程式说明“毒烧饼”事件中的中毒原因
医生往往让其服用
（3）常温下，将铁棒置于浓硫酸中，无明显现象，课本上解释为发生了钝化，但有人认为未发生反应．为验证此过程，某同学经过思考，设计了如下实验：将经浓硫酸处理过的铁棒洗净后置于CuSO4溶液中，若铁棒表面
（4）美国和日本正在研究用Na2SO3吸收法作为治理SO2污染的一种新方法，其原理为（用化学方程式表示）：
（5）为进一步减少SO2的污染并变废为宝，我国正在探索在一定条件下用CO还原SO2得到单质硫的方法来除去SO2．写出该反应的化学方程式：
（6）制取硫酸铜的方法有两种：
方法一：2Cu+O2
| ||
方法二：Cu+2H2SO4（浓）
| ||
方法一与方法二相比，其优点是：
（7）硅是无机非金属材料的主角．请你举出两种含硅的材料名称
（8）大量使用化石燃料，最直接的危害是造成大气污染，如“温室效应”、“酸雨”等都与大量使用化石燃料有关．为了防治酸雨，降低煤燃烧时向大气排放的SO2，工业上将生石灰和含硫煤混合后使用．请写出燃烧时，有关“固硫”（不使硫的化合物进入大气）反应的化学方程式
（9）生活中处处有化学，缺铁性贫血患者应补充Fe2+，通常以硫酸亚铁的形式，而硫酸铁则无这种药效．当用硫酸亚铁制成药片时外表包有一层特殊的糖衣，这层糖衣的作用是
有关物质在水中溶解度见下表．请回答下列问题：
| 温度 | 10℃ | 20℃ | 30℃ | 溶解度：20℃NaF-4g；0℃NH4F-100g； 常温Na2SiF6-微溶于水 |
| NH4Cl溶解度 | 33.3g | 37.2g | 41.4g |
（2）上述流程中发生两步化学反应，第一步反应的化学方程式为：
（3）操作II的作用是
（4）流程中NH4HCO3必须过量，其原因是
（5）NaF可用于生产含氟牙膏，使用含氟牙膏可以预防龋齿．请说明含有NaF的牙膏如何将羟基磷酸钙[Ca5（PO4）3（OH）]转化为更难溶的氟磷酸钙[Ca5（PO4）3F]
高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料，是制备半导体的重要材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。高纯硅通常用以下方法制备：用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含Fe、Al、B、P等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度为450～500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置图。
相关信息：a．四氯化硅遇水极易水解；b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接化合生成相应的氯化物；c．有关物质的物理常数见下表：
|
物质 |
SiCl4 |
BCl3 |
AlCl3 |
FeCl3 |
PCl5 |
|
沸点/℃ |
57.7 |
12.8 |
— |
315 |
— |
|
熔点/℃ |
－70.0 |
－107.2 |
— |
— |
— |
|
升华温度/℃ |
— |
— |
180 |
300 |
162 |
请回答下列问题：
（1）仪器e的名称为 ，装置A中f管的作用是 ，其中发生反应的离子方程式为 。
（2）装置B中的试剂是 。
（3）某学习小组设计了以下两种实验方案：方案甲：g接装置Ⅰ；方案乙：g接装置Ⅱ。但是甲乙两个方案中虚线内装置均有不足之处，请你评价后填写下表。
|
方案 |
不足之处 |
|
甲 |
|
|
乙 |
|
（4）在上述（3）的评价基础上，请设计一个合理方案： 。
（5）通过上述合理的装置制取并收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是 （填写元素符号）。
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高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料，是制备半导体的重要材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。高纯硅通常用以下方法制备：用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含Fe、Al、B、P等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度为450～500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置图。
相关信息：a．四氯化硅遇水极易水解；b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接化合生成相应的氯化物；c．有关物质的物理常数见下表：
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物质 |
SiCl4 |
BCl3 |
AlCl3 |
FeCl3 |
PCl5 |
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沸点/℃ |
57.7 |
12.8 |
— |
315 |
— |
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熔点/℃ |
－70.0 |
－107.2 |
— |
— |
— |
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升华温度/℃ |
— |
— |
180 |
300 |
162 |
请回答下列问题：
（1）仪器e的名称为____________，装置A中f管的作用是_______________________________________，其中发生反应的离子方程式为_____ ____________________________________ _______。
（2）装置B中的试剂是____________。
（3）某学习小组设计了以下两种实验方案：方案甲：g接装置Ⅰ；方案乙：g接装置Ⅱ。但是甲乙两个方案中虚线内装置均有不足之处，请你评价后填写下表。
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方案 |
不足之处 |
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甲 |
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|
乙 |
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（4）在上述（3）的评价基础上，请设计一个合理方案：___________ ________ 。
（5）通过上述合理的装置制取并收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是 （填写元素符号）。
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高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料，是制备半导体的重要材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。高纯硅通常用以下方法制备：用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含Fe、Al、B、P等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度为450～500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置图。
相关信息：a．四氯化硅遇水极易水解；b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接化合生成相应的氯化物；c．有关物质的物理常数见下表：
| 物质 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | PCl5 |
| 沸点/℃ | 57.7 | 12.8 | — | 315 | — |
| 熔点/℃ | －70.0 | －107.2 | — | — | — |
| 升华温度/℃ | — | — | 180 | 300 | 162 |
请回答下列问题：
（1）仪器e的名称为____________，装置A中f管的作用是_______________________________________，其中发生反应的离子方程式为_____ ____________________________________ _______。
（2）装置B中的试剂是____________。
（3）某学习小组设计了以下两种实验方案：方案甲：g接装置Ⅰ；方案乙：g接装置Ⅱ。但是甲乙两个方案中虚线内装置均有不足之处，请你评价后填写下表。
| 方案 | 不足之处 |
| 甲 | |
| 乙 | |
（4）在上述（3）的评价基础上，请设计一个合理方案：___________ ________ 。
（5）通过上述合理的装置制取并收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是 （填写元素符号）。 查看习题详情和答案>>