摘要:电子式:在原子周围用“· 或“× 表示原子最外层电子数.也可表示分子(或 晶体)的形成过程和结构.注意下列物质的电子式
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电子式是指
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A.用小黑点表示原子核外电子数的式子
B.用小黑点表示原子(或离子)核外电子数的式子
C.用小黑点(或×)表示参与形成化学键的电子数的式子
D.在元素符号周围用小黑点(或×)来表示原子(或离子)最外层电子的式子
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B.用小黑点表示原子(或离子)核外电子数的式子
C.用小黑点(或×)表示参与形成化学键的电子数的式子
D.在元素符号周围用小黑点(或×)来表示原子(或离子)最外层电子的式子
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电子式是指 | |
A. |
用小黑点表示原子核外电子数的式子 |
B. |
用小黑点表示原子(或离子)核外电子数的式子 |
C. |
用小黑点(或×)表示参与形成化学键的电子数的式子 |
D. |
在元素符号周围用小黑点(或×)表示原子(或离子)最外层电子的式子 |
(1)A和E所形成的化合物的电子式是
(2)A、B、C、D四种元素的原子半径由小到大的顺序为
F<Cl<Al<Na
F<Cl<Al<Na
(用元素符号表示)(3)A和D的氢化物中,后者沸点较低,原因是
由于HF分子间存在氢键
由于HF分子间存在氢键
(4)A和E的化合物晶体中,每个阳离子的周围与它最近且等距离的阳离子共有
12
12
个(5)已知A和E所形成的化合物晶体的晶胞体积为1.6×10-22cm3,则A和E组成的离子化合物的密度为(结果保留一位小数)
3.2g/cm3
3.2g/cm3
.(1)亚铜离子(Cu+)基态时的价电子排布式表示为
3d10
3d10
.(2)硒为第4周期元素,相邻的元素有砷和溴,则这3种元素的第一电离能从大到小的顺序为
Br>As>Se
Br>As>Se
(用元素符号表示).(3)与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能与水反应生成[B(OH)4]-而体现一元弱酸的性质.
①[B(OH)4]-中B的原子杂化类型为
sp3
sp3
.②不考虑空间构型,[B(OH)4]-的结构可用示意图表示为
(4)单晶硅的结构与金刚石结构相似,若将金刚石晶体中一半的C原子换成Si原子且同种原子不成键,则得如图所示的金刚砂(SiC)结构;若在晶体硅所有Si-Si键中插入O原子即得SiO2晶体.
①在SiC中,每个C原子周围最近的C原子数目为
12
12
.②判断a.SiO2,b.干冰,c.冰三种晶体的熔点从小到大的顺序是
b<c<a
b<c<a
(填序号).太阳能电池的发展已经进入了第三代.第三代就是铜铟镓硒CIGS等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池.完成下列填空:
(1)亚铜离子(Cu+)基态时的电子排布式为
[Ar]3d10
[Ar]3d10
;(2)硒为第4周期元素,相邻的元素有砷和溴,则3种元素的第一电离能从大到小顺序为
Br>As>Se
Br>As>Se
(用元素符号表示),用原子结构观点加以解释As、Se、Br原子半径依次减小,原子核对外层电子的吸引力依次增强,元素的第一电离能依次增大;Se原子最外层电子排布为4s24p4,而As原子最外层电子排布为4s24p3,p电子排布处于半充满状态,根据洪特规则特例可知,半充满状态更稳定,所以As元素的第一电离能比Se大
As、Se、Br原子半径依次减小,原子核对外层电子的吸引力依次增强,元素的第一电离能依次增大;Se原子最外层电子排布为4s24p4,而As原子最外层电子排布为4s24p3,p电子排布处于半充满状态,根据洪特规则特例可知,半充满状态更稳定,所以As元素的第一电离能比Se大
;(3)与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性(价电子数少于价层轨道数),其化合物可与具有孤对电子的分子或离子生成加合物,如BF3能与NH3反应生成BF3?NH3. BF3?NH3中B原子的杂化轨道类型为
sp3
sp3
,B与N之间形成配位
配位
键;(4)单晶硅的结构与金刚石结构相似,若将金刚石晶体中一半的C原子换成Si原子且同种原子不成键,则得如图所示的金刚砂(SiC)结构;在SiC中,每个C原子周围最近的C原子数目为
12
12
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