摘要:带电粒子在匀强磁场中的偏转 ⑴穿过矩形磁场区.一定要先画好辅助线.偏转角由sinθ=L/R求出.侧移由R2=L2-(R-y)2解出.经历时间由得出. 注意.这里射出速度的反向延长线与初速度延长线的交点不再是宽度线段的中点.这点与带电粒子在匀强电场中的偏转结论不同! ⑵穿过圆形磁场区.画好辅助线(半径.速度.轨迹圆的圆心.连心线).偏角可由求出.经历时间由得出. 注意:由对称性.射出线的反向延长线必过磁场圆的圆心. 例题分析 例1:磁流体发电机原理图如右.等离子体高速从左向右喷射.两极板间有如图方向的匀强磁场.该发电机哪个极板为正极?两板间最大电压为多少? 解:由左手定则.正.负离子受的洛伦兹力分别向上.向下.所以上极板为正.正.负极板间会产生电场.当刚进入的正负离子受的洛伦兹力与电场力等值反向时.达到最大电压:U=Bdv.当外电路断开时.这也就是电动势E.当外电路接通时.极板上的电荷量减小.板间场强减小.洛伦兹力将大于电场力.进入的正负离子又将发生偏转.这时电动势仍是E=Bdv.但路端电压将小于Bdv. 在定性分析时特别需要注意的是: ⑴正负离子速度方向相同时.在同一磁场中受洛伦兹力方向相反. ⑵外电路接通时.电路中有电流.洛伦兹力大于电场力.两板间电压将小于Bdv.但电动势不变(和所有电源一样.电动势是电源本身的性质.) ⑶注意在带电粒子偏转聚集在极板上以后新产生的电场的分析.在外电路断开时最终将达到平衡态. 例2:半导体靠自由电子和空穴导电.分为p型和n型两种.p型半导体中空穴为多数载流子,n型半导体中自由电子为多数载流子.用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型:将材料放在匀强磁场中.通以图示方向的电流I.用电压表比较上下两个表面的电势高低.若上极板电势高.就是p型半导体,若下极板电势高.就是n型半导体.试分析原因. 解:分别判定空穴和自由电子所受的洛伦兹力的方向.由于四指指电流方向.都向右.所以洛伦兹力方向都向上.它们都将向上偏转.p型半导体中空穴多.上极板的电势高,n型半导体中自由电子多.上极板电势低. 注意:当电流方向相同时.正.负离子在同一个磁场中的所受的洛伦兹力方向相同.所以偏转方向相同. 例3:如图直线MN上方有磁感应强度为B的匀强磁场.正.负电子同时从同一点O以与MN成30°角的同样速度v射入磁场(电子质量为m.电荷为e).它们从磁场中射出时相距多远?射出的时间差是多少? 解:正负电子的半径和周期是相同的.只是偏转方向相反.先确定圆心.画出半径.由对称性知:射入.射出点和圆心恰好组成正三角形.所以两个射出点相距2r.由图还看出经历时间相差2T/3.答案为射出点相距.时间差为.关键是找圆心.找半径和用对称. 例4:一个质量为m电荷量为q的带电粒子从x轴上的P(a.0)点以速度v.沿与x正方向成60°的方向射入第一象限内的匀强磁场中.并恰好垂直于y轴射出第一象限.求匀强磁场的磁感应强度B和射出点的坐标. 解:由射入.射出点的半径可找到圆心O/.并得出半径为,射出点坐标为(0.).
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一个带电粒子穿过某一空间而未发生偏转,则下列说法中正确的是
A.此空间一定不存在磁场
B.此空间可能有磁场,方向与电子的速度方向平行
C.此空间可能有磁场,方向与电子的速度方向垂直
D.此
空间可能有正交的匀强电场和匀强磁场,它们的方向均与电子的速度方向垂直
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B.此空间可能有磁场,方向与电子的速度方向平行
C.此空间可能有磁场,方向与电子的速度方向垂直
D.此
一个带电粒子穿过某一空间而未发生偏转,则下列说法中正确的是
A.此空间一定不存在磁场
B.此空间可能有磁场,方向与电子的速度方向平行
C.此空间可能有磁场,方向与电子的速度方向垂直
D.此
空间可能有正交的匀强电场和匀强磁场,它们的方向均与电子的速度方向垂直
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B.此空间可能有磁场,方向与电子的速度方向平行
C.此空间可能有磁场,方向与电子的速度方向垂直
D.此
如下图所示,带电粒子(不计重力)从加速电场的O点无初速释放后恰能沿直线穿过互相垂直的匀强电场和匀强磁场,下列说法中正确的是
[ ]
A.该粒子不一定带正电
B.若从a点释放,则粒子在右侧场区向上偏转其电势能增加,动能减少
C.若从b点释放,则粒子在右侧场区向上偏转,电势能减小,动能增加
D.无论从a点释放,还是从b点释放,该粒子都无法沿直线穿过右侧场区
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