摘要：13．如图甲中abcd为导体作成的框架.其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab.cd接触良好且PQ与 bc平行.回路的电阻为R.整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中.磁感应强度随时间变化的图像如图乙.PQ始终静止.在0-t0s内.PQ受到的摩擦力的变化情况可能是 ( ) A．f一直增大 B．f一直减小 C．f先减小后增大 D．f先增大后减小
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如图甲中abcd为导体作成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好且PQ与 bc平行，回路的电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间变化的图像如图乙，PQ始终静止，在0-t0s内，PQ受到的摩擦力的变化情况可能是
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A．f一直增大
B．f一直减小
C．f先减小后增大
D．f先增大后减小
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B．f一直减小
C．f先减小后增大
D．f先增大后减小
如图甲中abcd为导体作成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好且PQ与 bc平行，回路的电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间变化的图像如图乙，PQ始终静止，在0—t0s内，PQ受到的摩擦力的变化情况可能是（ ）
A．f一直增大 B．f一直减小 C．f先减小后增大 D．f先增大后减小
