Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：

（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                          。

（2）下列说法正确的是            （选填序号）。

A．砷和镓都属于p区元素    B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体

C．电负性：As＞Ga                  D．第一电离能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是   （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为         。

Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca²⁺的配位数为             。

（2）已知Ca²⁺的半径为a cm，O^2-的半径为b cm，N_A代表阿伏加德罗常数，

该晶体的密度为         g/cm³。（用含a、b、N_A的代数式表示）

Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                          。
（2）下列说法正确的是            （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素   B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga                  D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是  （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为        。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca²⁺的配位数为             。
（2）已知Ca²⁺的半径为a cm，O^2-的半径为b cm，N_A代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为         g/cm³。（用含a、b、N_A的代数式表示）

Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：

（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                           。

（2）下列说法正确的是             （选填序号）。

A．砷和镓都属于p区元素    B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体

C．电负性：As＞Ga                   D．第一电离能Ga＞As

卤族元素的单质和化合物很多，我们可以利用所学物质结构与性质的相关知识去认识和理解

（1）卤族元素位于周期表的_________区；溴的价电子排布式为______________

（2）在不太稀的溶液中，氢氟酸是以二分子缔合(HF)2形式存在。使氢氟酸分子缔合的作用力是_______

（3）请根据下表提供的第一电离能数据判断：最有可能生成较稳定的单核阳离子的卤素原子是___

（4）已知高碘酸有两种形式,化学式分别为H5IO6（）和HIO4，前者为五元酸，后者为一元酸。请比较二者酸性强弱:H5IO6_____HIO4? （填“＞”、 “＜”或“＝”）

（5）已知ClO2-为角型，中心氯原子周围有四对价层电子。ClO2-中心氯原子的杂化轨道类型为___________，写出CN-的等电子体的分子式__________（写出1个）

（6）如图为碘晶体晶胞结构。有关说法中正确的是_____________

A．碘分子的排列有2种不同的取向，2种取向不同的碘分子以4配位数交替配位形?? 成层结构

B．用均摊法可知平均每个晶胞中有4个碘原子

C．碘晶体为无限延伸的空间结构，是原子晶体

D．碘晶体中的碘原子间存在非极性键和范德华力

（7）已知CaF2晶体（见图）的密度为ρg/cm3，NA为阿伏加德罗常数，相邻的两个Ca2+的核间距为a cm，则CaF2的相对分子质量可以表示为___________