摘要：15．如图甲中abcd为导体做成的框架.其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab.cd垂直且接触良好.回路的电阻为R.整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中.磁感应强度B随时间变化规律如图乙所示.棒PQ始终静止.在时间0-t0内.棒PQ受到的静摩擦力的大小变化是 A．一直增大 B．一直减小 C．先减小后增大 D．先增大后减小
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如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd垂直且接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B随时间变化规律如图乙所示，棒PQ始终静止，在时间0～t0内，棒PQ受到的静摩擦力的大小变化是（ ）
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如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感强度B随时间变化规律如图乙，PQ始终静止，在时间0～t内，PQ受到的摩擦力f的大小变化可能是（ ）
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如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B随时间变化规律如图乙所示，PQ始终静止，在时间0～t内，PQ 受到的摩擦力f的大小变化可能是
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B．f一直减小
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C．f先减小后增大
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D．f先增大后减小
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