摘要:14.硅单质及其化合物应用范围很广.请回答下列问题: (1)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅.三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅 的主要方法.生产过程示意图如下: 焦炭高温HCl573 K以上H21 357 K ① 写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式 . ② 整个制备过程必须严格控制无水无氧.SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3.HCl和另一种物质.写出配平的化学反应方程式 , H2还原SiHCl3过程中若混入O2.可能引起的后果是 . (2)下列有关硅材料的说法正确的是 . A.碳化硅化学性质稳定.可用于生产耐高温水泥 B.氮化硅硬度大.熔点高.可用于制作高温陶瓷和轴承 C.高纯度的二氧化硅可用于制造高性能通讯材料--光导纤维 D.普通玻璃是由纯碱.石灰石和石英砂制成的.其熔点很高 E.盐酸可以与硅反应.故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅 (3)硅酸钠水溶液俗称水玻璃.取少量硅酸钠溶液于试管中.逐滴加入饱和氯化铵溶液. 振荡.写出实验现象并给予解释: . 解析 (1)①根据原子守恒即质量守恒可以写出SiHCl3与H2反应的化学方程式. ②SiHCl3和H2O剧烈反应生成H2SiO3.HCl和另一种物质.分析它们化合价的变化可知. .而Cl的化合价未发生变化.因此另一种元素即H元素的化合价必 定降低.即另一种物质是H2. (2)碳化硅.氮化硅为原子晶体.A.B和C都正确.玻璃是一种玻璃态物质.无固定的 熔点.盐酸不能与硅反应.而HCl在573 K以上的温度下可与硅发生反应.因此D.E 都不正确. 答案 (1)①SiHCl3+H2Si+3HCl ②SiHCl3+3H2O===H2SiO3↓+3HCl↑+H2↑ 氧气与氢气混合.可能引起爆炸,氧气可能会氧化SiHCl3 (2)ABC (3)现象:试管中有白色胶状沉淀生成.并且有刺激性气体生成 解释:Na2SiO3和NH4Cl均能够水解.二者相互促进.Na2SiO3水解生成 H2SiO3. NH4Cl水解产生NH3

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(2008?佛山二模)实验室常用铜片、稀硫酸和浓硝酸来制备五水硫酸铜:Cu+2HNO3+H2SO4=CuSO4+2NO2↑+2H2O分以下几个步骤:
①将盛有4.5g铜屑的蒸发皿置于酒精灯火焰上,灼烧至表面呈现黑色,冷却;
②加16mL3mol?L-1硫酸,再缓慢、分批加入7mL12mol?L-1硝酸(在通风橱进行);
③待反应缓和后,盖上表面皿,用水浴加热至铜屑全溶;
④倾析法趁热将溶液转移到另一蒸发皿中,并在水浴上浓缩到溶液出现晶膜,冷却,过滤;
…
请回答下列问题:
(1)将铜屑灼烧的目的是
除去表面的油污
除去表面的油污
,表面的黑色物质是
氧化铜
氧化铜
.
(2)加入硝酸时,必须缓慢、分批加入的目的是
防止反应剧烈,有液体溅出;避免硝酸分解
防止反应剧烈,有液体溅出;避免硝酸分解
.
(3)控制硝酸总量尽可能小除了环保和节约原料外,还可能的原因是
避免引入过多NO3-,影响后面的实验
避免引入过多NO3-,影响后面的实验
.
(4)下图是硫酸铜和硝酸铜的溶解度表(单位:g),请根据表回答:
温度/℃ 0 20 40 60 80 100
CuSO4?5H2O 23.1 32.0 44.6 61.8 83.8 114.0
Cu(NO3)2?xH2O 83.5 125.0 163.0 182.0 208.0 247.0
①步骤④溶液冷却时析出的晶体主要是
五水硫酸铜
五水硫酸铜
.
②将五水硫酸铜粗产品提纯,要采取的实验方法是
重结晶
重结晶
.
(5)实验中取用蒸发皿的仪器是
坩埚钳
坩埚钳
,使用蒸发皿时的注意事项是
避免骤冷导致蒸发皿破裂或蒸发溶液时蒸发皿中溶液的体积不超过它体积的2/3或蒸发溶液时不能蒸干等
避免骤冷导致蒸发皿破裂或蒸发溶液时蒸发皿中溶液的体积不超过它体积的2/3或蒸发溶液时不能蒸干等
.(只需写出一项)
(6)如不用水浴加热蒸发,五水硫酸铜晶体可能会因温度高转变为白色的硫酸铜,此过程属于
化学
化学
变化.(填“物理”或“化学”)
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