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物质结构与性质短周期非金属元素A、B、C的核电荷数依次增大，A原子的外围电子排布式为ns2np2，C是地壳中含量最多的元素．元素D、E都位于第四周期，其中E的核电荷数为29，D原子的核外未成对电子数在同周期中是最多的．请用对应的元素符号或化学式填空：
（1）元素A、B、C的第一电离能由小到大的顺序为
（2）已知（AB）2分子中键与键之间的夹角为180°，并有对称性，且每个原子的最外层电子均满足8电子结构，则其结构式为
（3）基态D原子的外围电子排布式为
（4）已知元素E的氢化物的晶胞结构如图所示，则其化学式为
原子序数小于36的X、Y、Z、W、J五种元素，原子序数依次增大，其中X元素原子半径是所有元素原子中最小的，Y元素原子核外有三种不同的能级且各个能级所填充的电子数相同，W元素原子最外层电子数是内层电子数的3倍，J元素原子序数为24．（用元素符号或化学式表示）．
（1）Y、Z、W的第一电离能由小到大的顺序为
（2）J原子的核外电子排布式为
（3）Y2X2分子中Y原子轨道的杂化类型为
（4）Z与W形成的一种Z2W分子，与该分子互为等电子体的阴离子为
（5）JCl3能与Z、W的氢化物形成配位数为6的络合物，且相应两种配体的物质的量之比为2：1，氯离子全部位于外界．则该配合物的化学式为
（12分） “物质结构与性质”
（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中，GaN属于 晶体。
（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有 的原子或离子
（3）CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 。
②SO2分子的空间构型为 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 。
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为 。
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[物质结构与性质]
元素X 位于第四周期，其基态原子的内层轨道全部排满电子，且最外层电子数为2。元素Y基态原子的3p 轨道上有4个电子。元素Z 的原子最外层电子数是其内层的3倍。
（1）X与Y所形成化合物晶体的晶胞如右图所示。
①在1个晶胞中，X离子的数目为 。
②该化合物的化学式为 。
（2）在Y的氢化物(H2Y)分子中，Y原子轨道的杂化类型是 。
（3）Z的氢化物(H2Z)在乙醇中的溶解度大于H2Y，其原因是 。
（4）Y 与Z 可形成YZ42－
①YZ42－的空间构型为 (用文字描述)。
②写出一种与YZ42－互为等电子体的分子的化学式： 。
（5）X的氯化物与氨水反应可形成配合物[X(NH3)4]Cl2，1mol该配合物中含有σ键的数目为 。
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（12分） “物质结构与性质”
（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中，GaN属于 晶体。
（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有 的原子或离子
（3）CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 。
②SO2分子的空间构型为 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 。
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为 。
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