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（1）W元素在周期表中的位置为
（2）A、E两种元素组成的某种气体分子，一个分子中含有10个电子，实验室制取该气体的化学反应方程式为：
（3）甲由A、E两种元素组成，分子中含有18个电子，只存在共价单键，常温下甲是一种无色液体．甲在碱性溶液中能够将CuO还原为CH2O，已知当1mol甲完全参加反应时转移了4mol电子，则该反应的化学方程式可表示为：
（4）处理含DX、YX2烟道气污染的一种方法，是在催化剂作用下使两者反应，产物之一为单质Y．已知反应生成1gY固体单质时放出8.4kJ热量．此反应的热化学方程式为
（5）由钠和X、Z三种元素组成的一种阴、阳离子个数之比为1：1的化合物乙，是84消毒液的主要成分，其溶液显碱性，原因是
（6）已知：W3+的浓度为0.04mol/L，室温下W（OH）3的Ksp=4×10-38，要使W3+开始形成沉淀的最小pH是
Ⅰ．工业上有多种方法来制备氮化硅，常见的方法：
方法一 直接氮化法：在1 300～1 400℃时，高纯粉状硅与纯氮气化合，其反应方程式为
方法二 化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氮化硅纯度较高，其原因是
方法三 Si（NH2）4热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si3N4和一种气体
Ⅱ．（1）氮化硅抗腐蚀能力很强，但易被氢氟酸腐蚀，氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐，此盐中存在的化学键类型有
（2）已知：25℃，101kPa条件下的热化学方程式：
3Si（s）+2N2（g）═Si3N4（s）△H=-750.2kJ/mol ①
Si（s）+2C12（g）═SiCl4（g）△H=-609.6kJ/mol ②
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请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式：
Ⅲ．工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：
已知：X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色．
（1）原料B的主要成分是
（2）写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式：
（3）上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu？
氮化硅（Si3N4）是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。
I．工业上有多种方法来制备氮氦化硅，常见的方法有：
方法一 直接氦化法：在1300~1400℃时，高纯粉状硅与纯氦气化合，其反应方程式为
方法二 化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氦气、氢气反应生成氦化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氦化硅纯度较高，其原因是 。
方法三 Si（NH2）4热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si（NH2）4和一种气体
（填分子式）；然后使Si（NH2）4受热分解，分解后的另一种产物的分子式为 。
II．（1）氨化硅抗腐蚀能力很强，但易被氢氟酸腐蚀，氨化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐，此盐中存在的化学键类型有 。
（2）已知：25℃，101kPa条件下的热化学方程式：
3Si（s）+2N2（g）==Si3N4（s） △H=—750.2kJ/mol
Si（s）+2Cl2（g）==SiCl4（g） △H=—609.6kJ/mol
H2（g）+Cl2（g）==HCl（g） △H=—92.3kJ/mol
请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式：
。
III．工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：
已知：X，高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色。
（1）原料B的主要成分是 。
（2）写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式： 。
（3）上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu？ （填“能”或“不能”）。
写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式：
阳极： ；阴极： 。
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氮化硅（Si3N4）是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域中有重要用途．
Ⅰ．工业上有多种方法来制备氮化硅，常见的方法：
方法一 直接氮化法：在1 300～1 400℃时，高纯粉状硅与纯氮气化合，其反应方程式为______．
方法二 化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氮化硅纯度较高，其原因是______．
方法三 Si（NH2）4热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si3N4和一种气体______（填分子式）；然后使Si（NH2）4受热分解，分解后的另一种产物的分子式为______．
Ⅱ．（1）氮化硅抗腐蚀能力很强，但易被氢氟酸腐蚀，氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐，此盐中存在的化学键类型有______．
（2）已知：25℃，101kPa条件下的热化学方程式：
3Si（s）+2N2（g）═Si3N4（s）△H=-750.2kJ/mol ①
Si（s）+2C12（g）═SiCl4（g）△H=-609.6kJ/mol ②
H2（g）+C12（g）═HCl（g）△H=-92.3kJ/mol ③
请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式：______．
Ⅲ．工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：
已知：X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色．
（1）原料B的主要成分是______（填化学式）．
（2）写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式：______．
（3）上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu？______（填“能”或“不能”）．写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴、阳极的电极反应方程式．阳极：______；阴极：______．
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H2（g）+
氮化硅（Si3N4）是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。
I．工业上有多种方法来制备氮氦化硅，常见的方法有：
方法一 直接氦化法：在1300~1400℃时，高纯粉状硅与纯氦气化合，其反应方程式为
方法二 化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氦气、氢气反应生成氦化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氦化硅纯度较高，其原因是 。
方法三 Si（NH2）4热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si（NH2）4和一种气体
（填分子式）；然后使Si（NH2）4受热分解，分解后的另一种产物的分子式为 。
II．（1）氨化硅抗腐蚀能力很强，但易被氢氟酸腐蚀，氨化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐，此盐中存在的化学键类型有 。
（2）已知：25℃，101kPa条件下的热化学方程式：
3Si（s）+2N2（g）==Si3N4（s） △H=—750.2kJ/mol
Si（s）+2Cl2（g）==SiCl4（g） △H=—609.6kJ/mol
H2（g）+Cl2（g）==HCl（g） △H=—92.3kJ/mol
请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式：
。
III．工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：
已知：X，高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色。
（1）原料B的主要成分是 。
（2）写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式： 。
（3）上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu？ （填“能”或“不能”）。
写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式：
阳极： ；阴极： 。