摘要:25.写出下列微粒的电子排布式和电子轨道表示式 (1) (2) (3)

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【选做部分】(请从1、2两小题中任选一题作答,若两小题都做,只按1小题计分)

1.[化学—有机化学基础]

下列框图表示A、B、C、D、E、F、G、H、I各物质间的转化关系,已知有机物H分子中含有5个碳原子。有机物I是一种高分子材料。

已知R—CNR—COOH

请回答下列问题:

(1)物质D和I的结构简式为:

D___________________,

I__________________。

(2)指出反应类型:反应④属___________,⑥属___________。

(3)写出下列反应的化学方程式:

反应②_______________________________________________________________。

反应⑦_______________________________________________________________。

(4)写出与H具有相同官能团且只含有一个甲基的同分异构体的结构简式(除H外,请写出任意两种)________________________,________________________。

2.[化学—物质结构与性质]

今有位于元素周期表短周期中的X、Y、Z三种元素。已知:

①三者原子序数之和为25;

②元素Y的原子价电子排布为ns2npn+2

③X和Y在不同条件下可形成X2Y和X2Y2两种固态化合物,Y和Z在不同条件下可形成ZY和ZY2两种气态化合物;

④元素Z的硫化物与元素Z的氯化物,常温下均为液态,且二者的相对分子质量之比为38∶77。

据此填写下列空白:

(1)写出元素符号:

X____________;Y____________;Z____________。

(2)X2Y2属于___________晶体,构成晶体的微粒是________________(填微粒符号)。

(3)Z的硫化物的分子空间构型是_________________________,ZY2形成的晶体属于______________________晶体,根据原子轨道重叠方式的不同,Z的氯化物分子中含有的共价键种类及数目是__________________________。

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(2009?宿迁模拟)已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E.其中B、D、E原子最外电子层的p能级(轨道)上的电子处于半满状态.通常情况下,A的一种氧化物分子为非极性分子,其晶胞结构如右下图所示.原子序数为31的元素镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后,在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料.
试回答下列问题:(答题时,A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示)
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1

(2)A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为
N>C>Si
N>C>Si

(3)B元素的单质分子中有
2
2
个π键,与其互为等电子体的物质的化学式可能为
CO(或其他合理答案)
CO(或其他合理答案)
(任写一种).
(4)上述A的氧化物分子的中心原子采取
sp
sp
杂化,其晶胞中微粒间的作用力为
范德华力
范德华力

(5)EH3分子的空间构型为
三角锥形
三角锥形
,其沸点与BH3相比
(填“高”或“低”),原因是
NH3分子间能形成氢键,AsH3分子间不能形成氢键
NH3分子间能形成氢键,AsH3分子间不能形成氢键

(6)向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液,得到深蓝色的透明溶液.请写出该反应的离子方程式
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-
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