由能量判据（以焓变△H为基础）和熵判据(△S)组合而成的复合判据，适合于所有过程的自发性判断。公式为△H -T△S(T指开尔文温度)。若△H- T△S<0，反应自发进行。
电子工业中清洗硅片上的SiO₂(s)的 反应是：
SiO₂(s)+4HF(g)=SiF₄ (g) +2H₂O(g) △H (298. 15K)= -94. 0kJ/mol  △S(298. 15K)=- 75. 8J·mol^-1·K^-1
假设△H和△S不随温度而变化，试求此反应自发进行的温度条件。

由能量判据(以焓变为基础)(符号为△H，单位为kJ/mol)和熵判据(符号为△S，单位为J·mol^-1·K^-1)组合而成的复合判据，即体系自由能变化(符号为△G，单位为kJ/mol)将更适合于所有过程的自发性判断。公式为△G=△H-T△S(T指开尔文温度)；若△G＜0，反应自发进行。电子工业中清洗硅片上的SiO₂(s)的反应是：SiO₂(s)+4HF(g)==SiF₄(g)+2H₂O(g) △H(298．15K)=-94．0kJ·mol^-1 △S(298．15K)=-75．8J·mol^-1·K^-1 设△H和△S不随温度而变化，试求此反应自发进行的温度条件。