摘要: 原子晶体的熔沸点不一定比金属高.金属的熔沸点也不一定比分子晶体高.

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(15分)高纯晶体硅是信息技术的关键材料。
(1)硅元素位于周期表的______周期______族。下面有关硅材料的说法中正确的是__________(填字母)。
A.碳化硅化学性质稳定,可用于生产耐高温水泥
B.氮化硅硬度大、熔点高,可用于制作高温陶瓷和轴承
C.高纯度的二氧化硅可用于制造高性能通讯材料———光导纤维
D.普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的,故在玻璃尖口点燃H2时出现黄色火焰
E.盐酸可以与硅反应,故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅
(2)工业上用石英砂和焦炭可制得粗硅。
已知:

请将以下反应的热化学方程式补充完整:
SiO2(s) + 2C(s) ="==" Si(s) + 2CO(g)   △H = ________
(3)粗硅经系列反应可生成硅烷(SiH4),硅烷分解生成高纯硅。已知硅烷的分解温度远低于甲烷,用原子结构解释其原因:_________,Si元素的非金属性弱于C元素,硅烷的热稳定性弱于甲烷。
(4)将粗硅转化成三氯氢硅(SiHCl3),进一步反应也可制得高纯硅。
①SiHCl3中含有的SiCl4、AsCl3等杂质对晶体硅的质量有影响。根据下表数据,可用________ 方法提纯SiHCl3。
物质
SiHCl3
SiCl4
AsCl3
沸点/℃
32.0
57.5
131.6
②用SiHCl3制备高纯硅的反应为SiHCl3(g) +H2(g) Si(s) + 3HCl(g), 不同温度下,SiHCl3的平衡转化率随反应物的投料比(反应初始时,各反应物的物质的量之比)的变化关系如右图所示。下列说法正确的是________(填字母序号)。

a.该反应的平衡常数随温度升高而增大
b.横坐标表示的投料比应该是
c.实际生产中为提高SiHCl3的利用率,应适当升高温度
③整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质,写出配平的化学反应方程式:____________________。
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(1)下列说法正确的是____(每小题只有一个正确答案,下同)。
A. 离子晶体中一定存在离子键,分子晶体中一定存在共价键
B. 主族元素形成的单质,从上到下熔沸点逐渐升高
C. N2分子中的共价键是由两个σ键和一个π键组成的
D. 以极性键结合的分子不一定是极性分子
(2)下列叙述正确的是____。
A. 用VSEPR理论预测PCl3的立体构型为平面三角形
B. SO2和CO2都是含有极性键的非极性分子
C. 在NH4+和[Cu(NH3)2]2+中都存在配位键
D. 铝元素的原子核外共有5种不同运动状态的电子
Q、R、X、Y、Z五种元素的原子序数逐渐增大。已知Z的原子序数为29,其余均为短周期主族元素。Y 原子的价电子排布为msnmpn,R原子核外L层的电子数为奇数,Q、X原子p轨道的电子数分别为2和4。 请回答下列问题:
(3)Z2+的核外电子排布式是______________。如图是Z和X形成晶体的晶胞结构示意图(○代表X),可确定该品胞中阴离子的个数为___________。
(4)Q与Y形成的最简单气态氢化物分别为A、B,试比较它们的热稳定性并说明理由:_______________。
(5)Q和X形成的一种化合物甲的相对分子质量为44,则甲的空间构型是_____________。中心原子采取的杂化轨道类型是____,该分子中含有____个π键。
(6)R有多种氧化物,其中乙的相对分子质量最小。在一定条件下,2L的乙气体与0.5L的氧气相混合,若该混合气体被足量的NaOH溶液完全吸收后没有气体残留,所生成的R的含氧酸盐的化学式是_________。
(7)这五种元素中,电负性最大与最小的两种非金属元素形成的晶体属于____ 晶体;Q、R、X三种元素的第一电离能数值由小到大的顺序为____(用元素符号作答)。
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