摘要: 图8-4-13 如图8-4-13所示.离子源A产生的初速度为零.带电荷量均为e.质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管.垂直射入匀强偏转电场.偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场.经过一段匀速直线运动.垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场.已知HO=d.HS=2d.∠MNQ=90°. (1)求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角φ, (2)求质量为4m的离子在磁场中做圆周运动的半径, (3)若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处.质量为16m的离子打在S2处.S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围. 解析:(1)由 得E0=U0/d.由tan φ=.得φ=45°. (2)由 得R=2 . (3)将4m和16m代入R.得R1.R2. 由ΔS=-R1. 将R1.R2代入得ΔS=4(-1) 由R′2=(2R1)2+(R′-R1)2.得R′=R1 由R1<R<R1.得m<mx<25m. 答案: m<mx<25m 图8-4-14

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