摘要:21.有一匀强磁场区域.区域的上下边界MM'.NN'与水平面平行.磁场的磁感应强度为B.方向如图所示.磁场上下边界的距离为H.一矩形线圈abcd位于竖直平面内.其质量为m.电阻为R.ab边长L1.bd边长L2.且L2<H.现令线框从离磁场区域上边界MM'的距离为h处自由下落. 当cd边已进入磁场.ab边还未进入磁场的某一时刻.线框的速度已到达其完全进入磁场前的最大值.线框下落过程中cd边始终与磁场边界平行.试求: (1)线框完全进入磁场前速度的最大值, (2)从线框开始下落到cd边刚刚到达磁场区域下边界NN'的过程中.磁场作用于线框的安培力所做的功, (3)线框cd边刚穿出磁场区域下边界NN'时线框的加速度.
网址:http://m.1010jiajiao.com/timu3_id_1360701[举报]
(1)线框完全进入磁场前速度的最大值;
(2)从线框开始下落到cd边刚刚到达磁场区域下边界NN′的过程中,磁场作用于线框的安培力所做的功;
(3)线框cd边刚穿出磁场区域下边界NN′时线框的加速度.
有一匀强磁场区域,区域的上下边界MM'、NN'与水平面平行,磁场的磁感应强度为B,方向如图所示,磁场上下边界的距离为H。一矩形线圈abcd位于竖直平面内,其质量为m,电阻为R,ab边长L1,bd边长L2,且L2<H。现令线框从离磁场区域上边界MM'的距离为h处自由下落, 当cd边已进入磁场,ab边还未进入磁场的某一时刻,线框的速度已到达其完全进入磁场前的最大值,线框下落过程中cd边始终与磁场边界平行。试求:
(1)线框完全进入磁场前速度的最大值;
(2)从线框开始下落到cd边刚刚到达磁场区域下边界NN'的过程中,磁场作用于线框的安培力所做的功;
(3)线框cd边刚穿出磁场区域下边界NN'时线框的加速度。
查看习题详情和答案>>