摘要：35． 如图所示.一束具有各种速率的两种质量数不同的一价铜离子.水平地经过小孔S1射入垂直的匀强电场和匀强磁场区域.已知匀强电场的场强E=1×l05v/m.匀强磁场的磁感应强度为Bl=0.4T．求: (1)速度多大的一价铜离子.才能通过与Sl小孔正对的S2小孔射入另一匀强磁场B2中? (2)如果这些一价铜离子在匀强磁场B2中发生偏转后.打在过小孔S2且与两磁场分界面重合的照相底片上.已知分界面与小孔SlS2连线垂直.若感光点到小孔S2的距离分别为d1=0.654m,d2=0.674m ,那么对应的两种铜离子的质量之比为多大?
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如图所示，一束具有各种速率的两种质量数不同的一价铜离子，水平地经过小孔S1射入互相垂直的匀强电场（E=1.0×105V/m）和匀强磁场（B1=0.4T）区域，问：速度多大的一价铜离子，才能通过S1小孔正对的S2小孔射入另一匀强磁场（B2=0.5T）中，如果这些一价铜离子在匀强磁场B2中发生偏转后，打在小孔S2正下方的照相底片上，感光点到小孔S2的距离分别为0.654m和0.674m，那么对应的两种铜离子的质量数各为多少？假设一个质子的质量mp是1.66×10-27kg，不计重力．
如图所示，一束具有各种速率的两种质量数不同的一价铜离子，水平地经过小孔S1射入垂直的匀强电场和匀强磁场区域，已知匀强电场的场强E=1×105V/m，匀强磁场的磁感应强度为B1=0.4T．求：（1）速度多大的一价铜离子，才能通过与S1小孔正对的S2小孔射入另一匀强磁场B2中？
（2）如果这些一价铜离子在匀强磁场B2中发生偏转后，打在过小孔S2且与两磁场分界面重合的照相底片上，已知分界面与小孔S1、S2连线垂直，若感光点到小孔S2的距离分别为d1=0.654m和d2=0.674m，那么对应的两种铜离子的质量数之比为多大？
如图所示，一束具有各种速率的两种质量数不同的一价铜离子，水平地经过小 孔S1射入垂直的匀强电场和匀强磁场区域，已知匀强电场的场强E=1X l05v/m，匀强磁场的磁感应强度为Bl=0.4T．求：
(1)速度多大的一价铜离子，才能通过与Sl小孔正对的S2小孔射入另一匀强磁场B2中?
(2)如果这些一价铜离子在匀强磁场B2中发生偏转后，打在过小孔S2且与两磁场分界面重合的照相底片上，已知分界面与小孔SlS2连线垂直，若感光点到小孔S2的距离分别为d1=0.654m,d2=0.674m ,那么对应的两种铜离子的质量数之比为多大?
