摘要：60．在图二a.b.c.d四点代表的人口增长状况中.最有可能产生“PPE怪圈 的是 A．a B．b C．c D．d
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A、B、C、D代表元素周期表中4种元素，请完成下列问题
（1）A元素的基态原子的最外层有3个未成对电子，次外层有2个电子，该元素氢化物比同族元素氢化物熔沸点高的原因是 ；第一电离能比后面一号元素大的原因是
（2）B元素与氧元素形成的一种化合物是含有4个原子18个电子的分子，该化合物的电子式为 ，若向该化合物的稀溶液中加入少量二氧化锰，有无色气体产生，该反应的化学方程式为
（3）C元素的正三价离子的 3d轨道为半充满状态，C元素的符号为 ，在同期表中位于 周期 族，原子结构示意图为
（4）D元素位于元素周期表第四周期第ⅠB族，其基态原子的电子排布式为
A、B、C、D代表元素周期表中4种元素，请完成下列问题
（1）A元素的基态原子的最外层有3个未成对电子，次外层有2个电子，该元素氢化物比同族元素氢化物熔沸点高的原因是 ；第一电离能比后面一号元素大的原因是
（2）B元素与氧元素形成的一种化合物是含有4个原子18个电子的分子，该化合物的电子式为 ，若向该化合物的稀溶液中加入少量二氧化锰，有无色气体产生，该反应的化学方程式为
（3）C元素的正三价离子的 3d轨道为半充满状态，C元素的符号为 ，在同期表中位于 周期 族，原子结构示意图为
（4）D元素位于元素周期表第四周期第ⅠB族，其基态原子的电子排布式为
（1）A元素的基态原子的最外层有3个未成对电子，次外层有2个电子，该元素氢化物比同族元素氢化物熔沸点高的原因是 ；第一电离能比后面一号元素大的原因是
（2）B元素与氧元素形成的一种化合物是含有4个原子18个电子的分子，该化合物的电子式为 ，若向该化合物的稀溶液中加入少量二氧化锰，有无色气体产生，该反应的化学方程式为
（3）C元素的正三价离子的 3d轨道为半充满状态，C元素的符号为 ，在同期表中位于 周期 族，原子结构示意图为
（4）D元素位于元素周期表第四周期第ⅠB族，其基态原子的电子排布式为
已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外电子层的p能级（轨道）上的电子处于半满状态．通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示．原子序数为31的元素镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料．
试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为______．
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为______．
（3）B元素的单质分子中有______个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为______（任写一种）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______．
（5）EH3分子的空间构型为______，其沸点与BH3相比______（填“高”或“低”），原因是______．
（6）向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液，得到深蓝色的透明溶液．请写出该反应的离子方程式______．
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试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为______．
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为______．
（3）B元素的单质分子中有______个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为______（任写一种）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______．
（5）EH3分子的空间构型为______，其沸点与BH3相比______（填“高”或“低”），原因是______．
（6）向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液，得到深蓝色的透明溶液．请写出该反应的离子方程式______．
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短周期元素A、B、C、D中，0.5mol A元素的离子得到6.02×1023个电子被还原为中性原子，0.4g A的氧化物恰好与100ml 0.2mol/L的盐酸完全反应，A原子核内质子数目与中子数目相等，B元素原子核外第三层电子数目比第一层多1个，C-比A元素的离子多1个电子层，D元素的原子核外第二层比第一层多2个电子。回答下列问题：
（1）A、B、C、D四种元素的名称分别是_______、_______、_______、_______；
（2）C-的结构示意图为_______；D元素在周期表中的位置是__________；
（3）元素D的最简单气态氢化物的电子式为____，其分子的结构特点是具有_____结构，在一定条件下该氢化物可与单质C发生取代反应，若将等物质的量的该氢化物与单质C混合，在一定条件下充分反应后，生成物中物质的量最大的是_______（用化学式填写）；
（4）工业上冶炼单质A的化学方程式为_____________________________________；
（5）工业上常用单质B冶炼难熔的金属，写出氧化铁和单质B在高温下反应的化学方程式_________________，该反应属于______反应（填“放热”或“吸热”）；
（6）写出工业上用石英晶体与D的一种单质生产半导体材料的化学反应方程式_________________________；
（7）将D的单质在足量的氧气中完全燃烧，所得产物的结构式为____________。
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（1）A、B、C、D四种元素的名称分别是_______、_______、_______、_______；
（2）C-的结构示意图为_______；D元素在周期表中的位置是__________；
（3）元素D的最简单气态氢化物的电子式为____，其分子的结构特点是具有_____结构，在一定条件下该氢化物可与单质C发生取代反应，若将等物质的量的该氢化物与单质C混合，在一定条件下充分反应后，生成物中物质的量最大的是_______（用化学式填写）；
（4）工业上冶炼单质A的化学方程式为_____________________________________；
（5）工业上常用单质B冶炼难熔的金属，写出氧化铁和单质B在高温下反应的化学方程式_________________，该反应属于______反应（填“放热”或“吸热”）；
（6）写出工业上用石英晶体与D的一种单质生产半导体材料的化学反应方程式_________________________；
（7）将D的单质在足量的氧气中完全燃烧，所得产物的结构式为____________。
（2011?平顶山二模）A、B、C、D、E五种前四周期元素，原子序数依次增大．已知D元素原子核外的M层上有3个单电子存在．在周期表中，B、E与D同主族，A、C分别与B、D处于相邻位置．回答下列问题：（1）元素E的元素符号为
As
As
，最高正价为+5
+5
，最外层电子构型为4s24p3
4s24p3
；（2）C的常见氯化物中，C元素的杂化类型为
sp3
sp3
，A元素在其含氧酸根离子中的杂化类型为sp2
sp2
，A、C两元素所形成化合物的晶体类型是原子晶体
原子晶体
；（3）D的氢化物的立体结构呈
三角锥
三角锥
型，该氢化物比元素B的氢化物沸点低的原因是B元素的氢化物之间存在有氢键
B元素的氢化物之间存在有氢键
．（4）元素B的离子（B3-）与某金属离子（X+）形成化合物的晶胞结构如图所示．则晶胞中顶点上的小球应代表
B3-
B3-
（填“B3-”或“X+”）．