6.把托放在手中的物体竖直向上抛出,在物体脱离手掌的瞬间,通常情况是( )
| A. | 手掌的运动方向竖直向上 | B. | 手掌的加速度方向竖直向下 | ||
| C. | 手掌的加速度大于重力加速度g | D. | 手掌的加速度小于重力加速度g |
5.
用电子射线管验证带电粒子在磁场中会受到磁场力的作用,装置如图所示,把射线管放在蹄形磁铁两磁极之间.则( )
| A. | 射线管的两个电极必须接到交流高电压上 | |
| B. | 射线管的两个电极必须接到直流高电压上,并且阴极接电源的负极,阳极接电源的正极 | |
| C. | 正确通电后,粒子流将向上偏转 | |
| D. | 正确通电后,粒子流将向下偏转 |
4.
如图,O为圆心,KN、LM是半径分别为ON、OM的同心圆,若O处垂直纸面放置一载流直导线,电流垂直纸面向外.用一条导线围成如图所示回路KLMN,当回路中沿图示方向通以电流时,此回路将( )
| A. | 向左平动 | |
| B. | 在纸面向绕过O点垂直于纸面的轴转动 | |
| C. | KL边向外,MN边向里运动 | |
| D. | KL边向里,MN边向外运动 |
3.关于磁感应强度B、电流强度I、导线长度l和电流所受的安培力F的关系,下列说法中正确的是( )
| A. | 在B=0处,F一定等于零 | B. | 在F=0处,B一定等于零 | ||
| C. | 在B=1T,I=1A,l=1m时,F一定等于1N | D. | 若I=1A,l=1m,F=1N,B不一定等于1T |
20.
如图所示,两个质量分别为m1=1kg、m2=4kg的物体置于光滑的水平面上,中间用轻质弹簧秤连接.两个大小分别为F1=30N、F2=20N的水平拉力分别作用在m1、m2上,则达到稳定状态后,下列说法正确的是( )
| A. | 弹簧秤的示数是25 N | |
| B. | 弹簧秤的示数是50 N | |
| C. | 在突然撤去F2的瞬间,m2的加速度大小为7 m/s2 | |
| D. | 在突然撤去F1的瞬间,m1的加速度大小为13 m/s2 |
19.
我国分别于2011年9月29日和11月1日发射了“天宫一号”目标飞行器和“神舟八号”飞船,并于11月3日实现两者对接.某同学得知消息后,画出了“天宫一号”和“神舟八号”绕地球做匀速圆周运动的假想图如图所示,A代表“天宫一号”,B代表“神舟八号”,虚线为各自的轨道.由此假想图,判定不正确的是( )
| A. | “天宫一号”的运行速度小于第一宇宙速度 | |
| B. | “天宫一号”的周期大于“神舟八号”的周期 | |
| C. | “神舟八号”通过加速与“天宫一号”实现对接 | |
| D. | “神舟八号”也可以与“天宫一号”在同一轨道加速进行对接 |
18.
如图所示,质量为M、倾角为θ的斜面体静止在粗糙的水平面上,质量为m的物块在斜面上恰好能匀速下滑,现在用一平行于地面向右的力F作用在m上,则加上力F后瞬间,以下说法正确的是( )
| A. | 斜面体M受到地面的支持力等于(M+m)g | |
| B. | 斜面体有向右运动的趋势 | |
| C. | 斜面体有向左运动的趋势 | |
| D. | 斜面体没有受到地面的摩擦力的作用 |
17.霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展.如图1所示,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M、N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UH=K$\frac{IB}{d}$,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数.某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数.

①若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图1所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与M(填“M”或“N”)端通过导线相连.
②已知薄片厚度d=0.40mm,该同学保持磁感应强度B=0.10T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.
根据表中数据在给定区域内画出UH-I图线,利用图线求出该材料的霍尔系数为1.5×10-3V•m•A-1•T-1(保留2位有效数字).
③该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图2所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向b(填“a”或“b”),S2掷向c(填“c”或“d”).
为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中.在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件S1和E(或S2,E)(填器件代号)之间.
0 146876 146884 146890 146894 146900 146902 146906 146912 146914 146920 146926 146930 146932 146936 146942 146944 146950 146954 146956 146960 146962 146966 146968 146970 146971 146972 146974 146975 146976 146978 146980 146984 146986 146990 146992 146996 147002 147004 147010 147014 147016 147020 147026 147032 147034 147040 147044 147046 147052 147056 147062 147070 176998
①若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图1所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与M(填“M”或“N”)端通过导线相连.
②已知薄片厚度d=0.40mm,该同学保持磁感应强度B=0.10T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.
| I(×10-3A) | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 15.0 | 18.0 |
| UH(×10-3V) | 1.1 | 1.9 | 3.4 | 4.5 | 6.2 | 6.8 |
③该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图2所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向b(填“a”或“b”),S2掷向c(填“c”或“d”).
为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中.在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件S1和E(或S2,E)(填器件代号)之间.