5．某大学研制出了正六棱柱“隐形衣”．有同学将正六棱柱放进装满水的透明鱼缸，向着棱的方向看，可以看到鱼缸另一侧大学的校徽；用一支铅笔穿过正六棱柱中心轴线的孔洞，再向棱方向观察，铅笔插进孔洞的那段消失不见了（如图甲所示，图乙为光路说明图），关于此实验说法正确的是（ ）
| A． | 隐形的原理是光发生了全反射 | |
| B． | 光由水进入该介质，折射角大于入射角 | |
| C． | 隐形的原理是光被玻璃吸收了 | |
| D． | 光在该介质中的传播的速度大于水中速度 |
如图甲所示，两根足够长的光滑直金属导轨MN、PQ平行固定在倾角θ=37°的绝缘斜面上，两导轨间距L=1m，导轨的电阻可忽略．M、P两点间接有阻值为R的电阻．一根质量m=1kg、电阻r=0.2Ω的均匀直金属杆ab放在两导轨上，与导轨垂直且接触良好．整套装置处于磁感应强度B=0.5T的匀强磁场中，磁场方向垂直斜面向下．自图示位置起，杆ab受到大小为F方向平行导轨沿斜面向下的拉力作用，力F随杆ab运动速度v变化的图象如图乙所示，棒由静止开始运动，测得通过电阻R的电流随时间均匀增大．g取10m/s2，sin 37°=0.6．求：
3．
如图所示，固定于水平面上的金属框cdef处在竖直向下的匀强磁场中，金属棒ab搁在框架上，与ed构成一个边长为l的正方形，金属棒电阻为r，其余电阻不计，开始时磁感应强度为B0，金属棒静止．若以t=0时起，磁感应强度均匀增加，每秒增加量为k，则（ ）
如图所示，固定于水平面上的金属框cdef处在竖直向下的匀强磁场中，金属棒ab搁在框架上，与ed构成一个边长为l的正方形，金属棒电阻为r，其余电阻不计，开始时磁感应强度为B0，金属棒静止．若以t=0时起，磁感应强度均匀增加，每秒增加量为k，则（ ）| A． | 金属棒中的感应电流的方向为b→a | |
| B． | 金属棒中的感应电流的大小为$\frac{{k{l^{\;}}}}{r}$ | |
| C． | 金属棒消耗的电功率为$\frac{{k}^{2}{l}^{4}}{r}$ | |
| D． | 若t=t1时金属棒仍然静止，金属棒受到的最大静摩擦力不能小于（B0+kt1）$\frac{{k{l^3}}}{r}$ |
如图，倾角为30°的光滑斜面PQ边界下方存在匀强磁场，磁感应强度为B，方向垂直于斜面向上，质量为m的“日”字形导线框放置地斜面上，导线框的c、d分别是ae和bf边的中点，已知Lae=2Lab=2L，ab、cd、ef的电阻都为R，其余电阻不计，由静止释放导线框，导线框进入磁场时恰好做匀速直线运动，斜面足够长，求：
如图甲所示，两根足够长的光滑平行金属导轨相距l=0.4 m，导轨平面与水平面成θ=30°角，下端通过导线连接阻值R=0.5Ω的电阻．金属棒ab阻值r=0.3Ω，质量m=0.2kg，放在两导轨上，与导轨垂直并保持良好接触．其余部分电阻不计，整个装置处于垂直导轨平面向上的匀强磁场中．取g=10 m/s2．
如图甲所示，固定的光滑平行导轨（电阻不计）与水平面夹角为θ=30°，导轨足够长且间距L=0.5m，底端接有阻值为R=4Ω的电阻，整个装置处于垂直于导体框架向上的匀强磁场中．一质量为m=1kg、电阻r=1Ω、长度也为L的导体棒MN在沿导轨向上的外力F作用下由静止开始运动，拉力F与导体棒速率倒数关系如图乙所示．已知g=10m/s2．求：
19．
如图所示，一边长为L正方形导线框恰好处于匀强磁场的边缘，如果将导线框以某一速度v匀速向右拉出磁场，则在此过程中，下列说法正确的是（ ）
如图所示，一边长为L正方形导线框恰好处于匀强磁场的边缘，如果将导线框以某一速度v匀速向右拉出磁场，则在此过程中，下列说法正确的是（ ）| A． | 如果导线框的速度变为2v，则外力做的功也变为原来的2倍 | |
| B． | 如果导线框的速度变为2v，则电功率变为原来的2倍 | |
| C． | 如果导线框的材料不变，而边长变为2L，则外力做的功变为原来的4倍 | |
| D． | 如果导线框的材料不变，而边长变为2L，则电功率变为原来的4倍 |
如图所示，电阻不计的两光滑金属导轨相距L固定在水平绝缘桌面上，其中半径为R的$\frac{1}{4}$圆弧部分处在竖直平面内，水平直导轨部分处在磁感应强度为B、方向竖直向下的匀强磁场中，末端平齐．在与圆心等高的位置处有两金属棒MN、PQ垂直两导轨且与导轨接触良好．已知MN棒的质量为2m，电阻为r；PQ棒的质量为m，电阻也为r．开始时，保持PQ棒不动，将MN棒从圆弧导轨顶端无初速度释放，当MN棒脱离导轨后，再次由静止释放PQ棒，最后两棒都离开导轨落到地面上．MN、PQ两棒落地点到导轨边缘的水平距离之比为1：3．
如图所示，空间存在一垂直于纸面的匀强磁场，在纸面内，一正三角形的导体线框沿着垂直于磁场边界的虚线匀速穿过磁场区域，已知虚线垂直于AB边，且正三角形的高为磁场宽度的两倍．从C点进入磁场开始计时，以电流沿逆时针方向为正，关于线框中感应电流i随时间t变化的关系，下列四幅图可能正确的是（ ）
16．
如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路，虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场．方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直．从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论正确的是（ ）
0 134178 134186 134192 134196 134202 134204 134208 134214 134216 134222 134228 134232 134234 134238 134244 134246 134252 134256 134258 134262 134264 134268 134270 134272 134273 134274 134276 134277 134278 134280 134282 134286 134288 134292 134294 134298 134304 134306 134312 134316 134318 134322 134328 134334 134336 134342 134346 134348 134354 134358 134364 134372 176998
如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路，虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场．方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直．从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论正确的是（ ）| A． | 感应电流方向不变 | B． | CD段直线始终不受安培力 | ||
| C． | 感应电动势最大值Em=Bav | D． | 感应电动势平均值$\overline{E}$=$\frac{1}{4}$Bav |