题目内容
一学习小组学习了电阻的测量的方法后，想描绘一只硅二极管通正向电流时的伏安特性曲线．已知该二极管正向导通时电阻为几十到几百欧，其耐压值约为1.0V．实验室有如下器材：
A．干电池一节
B．电压表1，量程15V，内阻约几百千欧
C．电压表2，量程3V，内阻约一百千欧
D．电流表，量程10mA，内阻约几百欧
E．滑动变阻器1，最大阻值为1KΩ
F．滑动变阻器2，最大阻值为100Ω
G．导线若干，电键一个
①电压表应选 （请填器材前的字母）。
②滑动变阻器应选 （请填器材前的字母）。
③请将题图1所示未完成的电路图补充完整（硅二极管的符号为 ）。
| U/V | 0.00 | 0.12 | 0.28[] | 0.40 | 0.50 | 0.56 | 0.60 | 0.64 | 0.68 |
| I/mA | 0.0 | 约0 | 约0 | 0.1 | 0.2 | 0.4 | 0.8 | 1.2 | 5.0 |
④如题图2所示，坐标图上的图线I为某硅光电池组的伏安特性曲线，通过图线I直接
读出该硅光电池组的电动势为 V，短路电流为 mA，其内电阻 Ω（填“是”或“不是”）定值。
⑤移动滑动变阻器的滑片，得到多组硅二极管的电流电压值如下表，请根据表格中的
数据在同一坐标纸上通过描点连线画出硅二极管的伏安特性曲线。
⑥根据你描绘的图线结合图线I，计算若用该硅光电池组直接给该硅二极管供电时（保证该硅光电池组为二极管输入正向电流），电池组的输出功率为 W，此时硅光电池组的内阻为 Ω，此时二极管的电阻为 Ω（此三空均保留三位有效数字）。
【知识点】电学实验测电阻和伏安曲线考查题。J4、J10。
【答案解析】答案：
（作图各2分，其余每空1分，共12分）
①C，②F，③如下图，④0.88，3.0，不是，⑤如下图，⑥（1.35～1.42）×10－3，109，290～340，
[]
解析：根据测量数据题中告知的条件可知，电压表应该选择C，不能选B，它误差太大。根据实验时，方便可行，不超载，滑动变阻器应该选F。描绘发光二极管的I-U图线，采用分压电路。由于电流表内阻较大，设计成电流表外接。所连接电路图如上。由上伏安图线可读出：电池组的电动势是横轴的截距，其值为：0.88V，短路电流是纵轴的截距，其值为：3.0A。由图可知：其内阻是变化的，要填不是。根据所列表中数据作图如上。由作的图中的两曲线可计算出：
。此时由曲线的斜率可得到：光电池的内阻为
。 二极管的电阻为：310
。从而得出本题的答案。
【思路点拨】求解本题的关键是先要理解题意，搞清硅控二极管的物理特性，学会识图，掌握伏安法测电阻的实验原理，就好设计实验电路，并从描绘的图线看斜率和交点，再用物理规律表达式列式求解，得出正确答案。本题是从能力上测试学生做电学的实验能力和动手设计能力。题目偏难。
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B．电场强度
D．电势能
时，物体的加速度为零
求：(1)电场强度E的大小；(2)小球在半圆轨道上运动时的最大速率；(计算结果用根号表示)．