题目内容


如图所示,金属杆MN在竖直平面内贴着光滑平行金属导轨下滑,导轨的间距cm,导轨上端接有的电阻,导轨与金属杆的电阻不计,整个装置处于T的水平匀强磁场中,磁场方向垂直于导轨平面向里。当金属杆MN匀速下滑时,每秒钟有J的重力势能减少(不计空气阻力,g=10m/s2)。求:

(1)金属杆MN匀速下滑的速度大小;

(2)金属杆MN的质量。


解:(1)由题意可知,金属杆在匀速下滑过程中,重力做正功,将重力势能全部转化为闭合电路中的电能。所以电路中的电功率就等于重力做功的功率

0.02W                                                     (1分)

因为闭合电路中所有电能都转化为焦耳热

                                                                (2分)

E=0.1V                                                                    (1分)

金属杆下滑过程中切割磁感线产生的感应电动势为

                                                                     (2分)

2m/s                                                       (1分)

       (2)由于金属杆匀速下滑,所以金属杆受力平衡

                                                                 (1分)

                                                                (1分)

                                               (1分)

m = 0.001kg                                                            (2分)


练习册系列答案
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热敏电阻包括正温度系数电阻器(PTC)和负温度系数电阻器(NTC)。正温度系数电阻器(PTC)在温度升高时电阻值越大,负责温度系数电阻器(NTC)在温度升高时电阻值越小,热敏电阻的这种特性,常常应用在控制电路中。某实验小组选用下列器材探究通过热敏电阻Rx(常温下阻值约为10.0Ω)的电流随其两端电压变化的特点。

A.电流表A1(量程100mA,内阻约1Ω)

B.电流表A2(量程0.6A,内阻约0.3Ω)

C.电压表V1(量程3.0V,内阻约3kΩ)

D.电压表V2(量程15.0V,内阻约10kΩ)

E.滑动变阻器R(最大阻值为10Ω)

F.滑动变阻器R′(最大阻值为500Ω)

G.电源E(电动势15V,内阻忽略) H.电键、导线若干

①实验中改变滑动变阻器滑片的位置,使加在热敏电阻两端的电压从零开始逐渐增大,请在所提供的器材中选择必需的器材,应选择的器材为电流表 ;电压表 ;滑动变阻器 。(只需填写器材前面的字母即可)

②请在所提供的器材中选择必需的器材,在虚线框内画出该小组设计的电路图。

③该小组测出热敏电阻R1的U—I图线如曲线I所示。请分析说明该热敏电阻是 热敏电阻(填PTC或NTC)。

④该小组又通过查阅资料得出了热敏电阻R2的U—I图线如曲线II所示。然后又将热敏电阻R1、R2分别与某电池组连成如图所示电路。测得通过R1和R2的电流分别为0.30A和0.60A,则该电池组的电动势为 V,内阻为 Ω。(结果均保留三位有效数字)



霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图丙所示,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M、N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。

I(×10-3A)

3.0

6.0

9.0

12.0

15.0

18.0

UH(×10-3V)

1.1

1.9

3.4

4.5

6.2

6.8

① 若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图丙所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与_________(填“M”或“N”)端通过导线相连。

② 已知薄片厚度d=0.40mm,该同学保持磁感应强度B=0.10T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示。根据表中数据在给定区域内(见答题卡)画出UH—I图线,利用图线求出该材料的霍尔系数为____________V(保留2位有效数字)。   

③ 该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图丁所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出)。为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向_______(填“a”或“b”), S2掷向_______(填“c”或“d”)。为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中。在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件____________和__________(填器件代号)之间。

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