题目内容
(1)画出质子运动的轨迹,并求出圆形匀强磁场区域的最小半径和最小面积;
(2)求出O点到c点的距离.
分析:(1)质子先在匀强磁场中做匀速圆周运动,根据洛伦兹力提供向心力,求出粒子运动的半径,再根据几何关系求出圆形匀强磁场区域的最小半径和最小面积;
(2)出磁场后做匀速直线运动,最后进入匀强电场做类平抛运动,根据运动学的知识求出ob和bc的距离,最后根据勾股定理求得OC之间的距离.
(2)出磁场后做匀速直线运动,最后进入匀强电场做类平抛运动,根据运动学的知识求出ob和bc的距离,最后根据勾股定理求得OC之间的距离.
解答:
解:
(1)质子先在匀强磁场中做匀速圆周运动,射出磁场后做匀速直线运动,最后进入匀强电场做类平抛运动,轨迹如图所示.根据牛顿第二定律,有Bev0=m
要使磁场的区域面积最小,则Oa为磁场区域的直径,
由几何关系可知:r=Rcos30°
求出圆形匀强磁场区域的最小半径r=
圆形匀强磁场区域的最小面积为Smin=πr2=
(2)质子进入电场后,做类平抛运动,垂直电场方向:s?sin30°=v0t;
平行电场方向:scos300=
at2,
由牛顿第二定律eE=ma,
解得:s=
.
O点到c点的距离:d=
=
答:(1)画出质子运动的轨迹如图,圆形匀强磁场区域的最小半径r=
,最小面积Smin=
;
(2)O点到c点的距离为
.
(1)质子先在匀强磁场中做匀速圆周运动,射出磁场后做匀速直线运动,最后进入匀强电场做类平抛运动,轨迹如图所示.根据牛顿第二定律,有Bev0=m
| v02 |
| R |
要使磁场的区域面积最小,则Oa为磁场区域的直径,
由几何关系可知:r=Rcos30°
求出圆形匀强磁场区域的最小半径r=
| ||
| 2eB |
圆形匀强磁场区域的最小面积为Smin=πr2=
| 3πm2v02 |
| 4B2e2 |
(2)质子进入电场后,做类平抛运动,垂直电场方向:s?sin30°=v0t;
平行电场方向:scos300=
| 1 |
| 2 |
由牛顿第二定律eE=ma,
解得:s=
4
| ||
| eE |
O点到c点的距离:d=
|
(
|
答:(1)画出质子运动的轨迹如图,圆形匀强磁场区域的最小半径r=
| ||
| 2eB |
| 3πm2v02 |
| 4B2e2 |
(2)O点到c点的距离为
(
|
点评:该题考查牛顿第二定律与运动学公式的应用,掌握几何关系的运用,并学会正确画出运动轨迹.
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