题目内容
如图,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是c、f间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UN=RH(1)若半导体材料是自由电子导电的,请判断图1中 端(填c或f)的电势高;
(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的自由电子数为n,电子的电荷量为e,请导出霍尔系数RH的表达式 .(通过横截面积S的电流I=nevS,其中v是导电电子定向移动的平均速率.
【答案】分析:(1)金属导体中移动的是自由电子,当电流的方向水平向右时,电子向左定向移动,受到洛伦兹力发生偏转,根据电子偏转到哪一表面判断电势的高低.
(2)当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,根据电场力与洛伦兹力平衡,结合电流I=nevS,推导出UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间的关系.
解答:解:(1)电流的方向水平向右时,电子向左定向移动,根据左手定则,电子向f面偏转.f面得到电子带负电,c面失去电子带正电,所以C端的电势高.
(2)最终电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等,设半导体薄片的宽带为a,有
,
根据电流I=nevS,v=
,
所以
,
则尔系数RH=
.
故本题答案为:(1)C,(2)
.
点评:解决本题的关键知道金属导体中移动的是自由电子,根据左手定则判断电子偏转方向,从而得出表面电势的高低.会根据荷所受的电场力与洛伦兹力相等,推导出UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间的关系.
(2)当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,根据电场力与洛伦兹力平衡,结合电流I=nevS,推导出UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间的关系.
解答:解:(1)电流的方向水平向右时,电子向左定向移动,根据左手定则,电子向f面偏转.f面得到电子带负电,c面失去电子带正电,所以C端的电势高.
(2)最终电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等,设半导体薄片的宽带为a,有
根据电流I=nevS,v=
所以
则尔系数RH=
故本题答案为:(1)C,(2)
点评:解决本题的关键知道金属导体中移动的是自由电子,根据左手定则判断电子偏转方向,从而得出表面电势的高低.会根据荷所受的电场力与洛伦兹力相等,推导出UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间的关系.
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