题目内容
20.| A. | 粒子在平行金属板间的运动时间和金属板右端到光屏的运动时间相等 | |
| B. | 板间电场强度大小为$\frac{2mg}{q}$ | |
| C. | 若仅将滑片P向下滑动一段后,再让该质点从N点以水平速度v0射入板间,质点不会垂直打在光屏上 | |
| D. | 若仅将两平行板的间距变大一些,再让该质点从N点以水平速度v0射入板间,质点依然会垂直打在光屏上 |
分析 质点先在电场和重力场的复合场中做类平抛运动,要垂直打在M屏上,离开出场后,质点一定打在光屏的上方,做斜上抛运动.质点从离开电场后到垂直打在M屏上过程是平抛运动的逆运动,采用运动的分解方法可知,分析质点类平抛运动与斜上抛的关系,确定加速度关系,求出板间场强.
解答
解:A、质点先在水平放置的两平行金属板间做类平抛运动,要垂直打在M屏上,离开电场后,质点一定打在屏的上方,做斜上抛运动.否则,质点离开电场后轨迹向下弯曲,质点不可能垂直打在M板上.质点在板间的类平抛运动和离开电场后的斜上抛运动,水平方向都不受外力,都做匀速直线运动,速度都等于v0,所以粒子在平行金属板间的运动时间和金属板右端到光屏的运动时间相等,故A正确;
B、质点的轨迹如图所示,
设质点在板间运动的过程中加速度大小为a,则质点离开电场时竖直分速度大小为:vy=at1=$\frac{qE-mg}{m}$•$\frac{l}{{v}_{0}^{\;}}$
质点离开电场后运动过程其逆过程是平抛运动,则有:
vy=gt2=g•$\frac{l}{{v}_{0}^{\;}}$
联立解得:E=$\frac{2mg}{q}$,故B正确;
C、若仅将滑片P向下滑动一段后,R的电压减小,电容器的电压要减小,带电量要减小,由于二极管具有单向导电性,所以电容器不能放电,带电量不变,板间电压不变,所以质点的运动情况不变,再让该质点从N点以水平速度v0射入板间,质点依然会垂直打在光屏上,故C错误
D、若仅将两平行板的间距变大一些,电容器电容减小,由C=$\frac{Q}{U}$知U不变,电量要减小,但由于二极管具有单向导电性,所以电容器不能放电,电量不变,根据推论可知板间电场强度不变,所以质点的运动情况不变,再让该质点从N点以水平速度v0射入板间,质点依然会垂直打在光屏上,故D正确
故选:ABD
点评 本题关键抓住两个运动轨迹的特点,巧用逆向思维分析电场外质点的运动情况.要知道运动的合成与分解是研究曲线运动的常用方法,要灵活运用.
| A. | 卢瑟福的α粒子散射实验揭示了原子核有复杂的结构 | |
| B. | ${\;}_{90}^{232}Th$衰变成${\;}_{82}^{208}Pb$要经过6次α衰变和4次β衰变 | |
| C. | β衰变中产生的β射线实际上是原子的核外电子挣脱原子核的束缚而形成的 | |
| D. | 升高放射性物质的温度,可缩短其半衰期 |
| A. | 进入磁场过程a点电势低于b点电势 | |
| B. | 进入磁场过程的发热量大于穿出磁场过程的发热量 | |
| C. | 进入磁场过程的所用的时间等于穿出磁场过程的时间 | |
| D. | 穿出磁场过程的加速度可能不变 |
| A. | R1:R2=1:4 P1:P2=2:1 | B. | R1:R2=1:2 P1:P2=4:1 | ||
| C. | R1:R2=1:2 P1:P2=2:1 | D. | R1:R2=1:4 P1:P2=4:1 |
| A. | 7N,7N,8N | B. | 1N,2N,3N | C. | 4N,5N,10N | D. | 1N,10N,10N |