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如图所示，匀强磁场区域限制在半径为r的圆内，磁感应强度为B，其方向垂直圆面向里，一质量为m、电荷量为-q(不计重力)的粒子以速度v0沿直径方向射入磁场，而后射出磁场打在与圆心O距离为L的荧光屏上的P点，P点与带电粒子原来运动方向发生侧移Y，试写出Y的表达式．

答案：
解析：

Y＝


练习册系列答案
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在方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则（　　）
在方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则（　　）
（2012?长宁区一模）如图所示，匀强磁场磁感应强度 B=0.2T，磁场宽度 L=0.3m，一正方形金属框边长 ab=0.1m，每边电阻R=0.2Ω，金属框在拉力F作用下以v=10m/s的速度匀速穿过磁场区，其平面始终保持与磁感线方向垂直．求：
（1）画出金属框穿过磁场区的过程中，金属框内感应电流i和a、b两端电压Uab随时间t的变化图线（规定以adcba为正方向）；
（2）金属框穿过磁场区域的过程中，拉力F做的功；
（3）金属框穿过磁场区域的过程中，导线ab上所产生的热量．
精英家教网在如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）正交的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则（　　）
A、若v0＞
E
B
，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＞v0
B、若v0＞
E
B
，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0
C、若υ0＜
E
B
，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度υ＞υ0
D、若υ0＜
E
B
，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度υ＜υ0
精英家教网在方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0 射入场区，则（　　）
A、若v0＞
E
B
，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＞v0
B、若v0＞
E
B
，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0
C、若v0＜
E
B
，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＜v0
D、若v0＜
E
B
，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0

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