题目内容
C·S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现,当受到应力作用时电阻率发生变化.这种由于外力的作用而使材料电阻率发生变化的现象称为“压阻效应”.压阻效应被用来制成各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器,把力学量转换成电信号,半导体压阻传感器已经广泛地应用于航空、化工、航海、动力和医疗等部门.某兴趣小组在研究某长薄板电阻Rx的压阻效应时,找到了下列器材(已知Rx的阻值变化范围大约为几欧到几十欧):
A.电源E(3V,内阻约为1
)
B.电流表A1(0.6A,内阻
)
C.电流表A2(0.6A,内阻r2约为1
)
D.开关S,定值电阻R0
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(1)为了比较准确地测量电阻Rx的阻值,请根据所给器材画出合理的实物连接图(部分导线已画出,电表A1、A2已标出);
(2)在电阻Rx上加一个竖直向下的力F时,闭合开关S,A1的示数为I1,A2的示数为I2,则Rx=______(用字母表示);
(3)Rx与压力F的关系如图l所示,某次测量时电表A1、A2的示数分别如图2、图3所示,则这时加在薄板电阻Rx上的压力为_______N.
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