题目内容
在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示。已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出。在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+
A．在电场中的加速度之比为1:1
B．在磁场中运动的半径之比为
:1
C．在磁场中转过的角度之比为1 : 2
D．离开电场区域时的动能之比为1 : 3
BCD【解析】电场中的加速度
，则在电场中的加速度之比为1:3，A错；磁场中的偏转半径
,又
则
，半径之比为
，B对；分析P+粒子运动可得磁场宽度
，分析P3+粒子运动可得磁场宽度
，则
，离开电场时动能
,二者之比
,D对。
练习册系列答案
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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（ ）
∶1
：1