题目内容
在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（ ）
| A．在内场中的加速度之比为1：1 | ||
B．在磁场中运动的半径之比为
| ||
| C．在磁场中转过的角度之比为1：2 | ||
| D．离开电场区域时的动能之比为1：3 |
A：两个离子的质量相同，其带电量是1：3的关系，所以由a=
可知其在电场中的加速度是1：3，故A错．
B：要想知道半径必须先知道进入磁场的速度，而速度的决定因素是加速电场，所以在离开电场时其速度表达式为：v=
，可知其速度之比为：1：
．又由qvB=m
知r=
，所以其半径之比为
：1，故B正确．
C：由B的分析知道，离子在磁场中运动的半径之比为：
：1，设磁场宽度为L，离子通过磁场转过的角度等于其圆心角，所以有sinθ=
，则可知角度的正弦值之比为1：
，又P+的角度为300，可知P+3角度为600，故C正确．
D：由电场加速后：qU=
mv2可知，两离子离开电场的动能之比为1：3，故D正确．
故选B，C，D．
| qU |
| md |
B：要想知道半径必须先知道进入磁场的速度，而速度的决定因素是加速电场，所以在离开电场时其速度表达式为：v=
|
| 3 |
| v2 |
| r |
| mv |
| qB |
| 3 |
C：由B的分析知道，离子在磁场中运动的半径之比为：
| 3 |
| L |
| R |
| 3 |
D：由电场加速后：qU=
| 1 |
| 2 |
故选B，C，D．
练习册系列答案
阅读快车系列答案
相关题目
在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（ ）
:1
∶1
：1