题目内容

10.如图所示,在平面直角坐标系xOy中的第一象限内存在磁感应强度大小为B、方向垂直于坐标平面向里的圆形匀强磁场区域(图中未画出);在第二象限内存在沿x轴负方向的匀强电场,电场强度大小为E.一粒子源固定在x轴上的A(-L,0)点,沿y轴正方向释放电子,电子经电场偏转后能通过y轴上的C(0,2$\sqrt{3}$L)点,再经过磁场偏转后恰好垂直击中ON,ON与x轴正方向成30°角.已知电子的质量为m,电荷量为e,不考虑粒子的重力和粒子之间的相互作用,求:
(1)电子的释放速度v的大小;
(2)电子离开电场时的速度方向与y轴正方向的夹角θ;
(3)圆形磁场的最小半径Rmin.

分析 (1)粒子在电场中做类似平抛运动,x方向匀速,y方向匀加速,根据运动学公式列式求解;
(2)先根据运动学公式列式求解出x、y方向的分速度,然后根据几何关系列式求解;也可以根据类似平抛运动速度偏转角的正切是位移偏转角正切的2倍直接求解;
(3)先根据洛伦兹力提供向心力求解出轨迹的半径,然后画出轨迹图,确定磁场的最小半径.

解答 解:(1)粒子在垂直电场方向上做匀速直线运动,在沿电场方向上做匀加速直线运动,
有:$2\sqrt{3}L=vt$,
L=$\frac{1}{2}a{t}^{2}=\frac{1}{2}\frac{eE}{m}{t}^{2}$,
联立两式解得v=$\frac{2\sqrt{3}L}{\sqrt{\frac{2mL}{eE}}}$.
(2)设电子到达C点的速度大小为vc,方向与y轴正方向的夹角为θ.
根据类平抛运动的规律有:$vt=2\sqrt{3}L$,$\frac{{v}_{x}}{2}t=L$,
tanθ=$\frac{{v}_{x}}{v}=\frac{2}{2\sqrt{3}}=\frac{\sqrt{3}}{3}$,解得θ=30°.
${v}_{C}=\frac{v}{cos30°}=\frac{2\sqrt{2EeLm}}{m}$.
(3)粒子的轨迹如图所示,根据几何关系知,∠QO1P=120°,
根据$R=\frac{m{v}_{C}}{qB}$得,R=$\frac{2\sqrt{2EemL}}{Be}$.
根据几何关系知,磁场区域的最小半径Rmin=$Rcos30°=\frac{2\sqrt{2EemL}}{Be}×\frac{\sqrt{3}}{2}$=$\frac{\sqrt{6meEL}}{eB}$.
答:(1)电子的释放速度v的大小为$\frac{2\sqrt{3}L}{\sqrt{\frac{2mL}{eE}}}$;
(2)电子离开电场时的速度方向与y轴正方向的夹角θ为30度;
(3)圆形磁场的最小半径为$\frac{\sqrt{6meEL}}{eB}$.

点评 本题中粒子先在电场中做类似平抛运动,然后进入磁场做匀速圆周运动,要注意两个轨迹的连接点,然后根据运动学公式和牛顿第二定律以及几何关系列式求解,其中画出轨迹是关键.

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