题目内容

如图所示,离子源A产生的初速度为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管,垂直射入匀强偏转电场,偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场,经过一段匀速直线运动,垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO=d,HS=2d,=90°。(忽略粒子所受重力)

(1)求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角φ;

(2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径;

(3)若质量为4m的离子恰好垂直打在NQ的中点S1处,求能打在NQ上的正离子的质量范围。

(1);45°(2)2;(3)m<mx<25m。

【解析】

试题分析:(1)正离子被电压为U0的加速电场加速后速度设为v1,

设对正离子,应用动能定理有eU0=mv12,

正离子垂直射入匀强偏转电场,

作类平抛运动受到电场力F=qE0、产生的加速度为a=,

即a=,垂直电场方向匀速运动,有2d=v1t,

沿场强方向:Y=at2,联立解得E0=

又tanφ=,解得φ=45°;

(2)正离子进入磁场时的速度大小为v2=,

正离子在匀强磁场中作匀速圆周运动,由洛仑兹力提供向心力qv2B=,

解得离子在磁场中做圆周运动的半径R=2;

(3)根据R=2可知,

质量为4m的离子在磁场中的运动打在S1,运动半径为R1=2,

由R′2=(2 R1)2+( R′-R1)2解得R′=R1,再根据R1<R<R1,

解得m<mx<25m。

考点:带电粒子在匀强电场及在匀强磁场中的运动.

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