题目内容
(1)微粒进入偏转电场时的速度v大小;
(2)微粒射出偏转电场时的偏转角θ;
(3)若该匀强磁场的宽度D=10cm,为使微粒不会从磁场右边射出,则该匀强磁场的磁感应强度B至少多大?
【答案】分析:(1)粒子在加速电场中,电场力做功,由动能定理求出速度v.
(2)粒子进入偏转电场后,做类平抛运动,运用运动的合成与分解求出偏转角.
(3)粒子进入磁场后,做匀速圆周运动,结合条件,画出轨迹,由几何知识求半径,再求B.
解答:
解:(1)粒子在加速电场中运动过程,由动能定理,得
qU1=
解得,
=1×104m/s
(2)粒子在偏转电场中做类平抛运动,则有
加速度a=
t=
,vy=at
则tanθ=
将上述各式代入得到tanθ=
=
θ=30°
(3)粒子进入磁场后做匀速圆周运动,速度大小为v=
画出轨迹如图,根据几何知识,得D=r+rsinθ
r=
又由qvB=m
解得B=
代入数据解得,B=0.346T
答:(1)微粒进入偏转电场时的速度v大小1×104m/s;
(2)微粒射出偏转电场时的偏转角θ=30°;
(3)为使微粒不会从磁场右边射出,该匀强磁场的磁感应强度B至少为0.346T.
点评:本题是带电粒子在组合场中运动的问题,关键是分析粒子的受力情况和运动情况,用力学的方法处理.
(2)粒子进入偏转电场后,做类平抛运动,运用运动的合成与分解求出偏转角.
(3)粒子进入磁场后,做匀速圆周运动,结合条件,画出轨迹,由几何知识求半径,再求B.
解答:
解:(1)粒子在加速电场中运动过程,由动能定理,得
qU1=
解得,
(2)粒子在偏转电场中做类平抛运动,则有
加速度a=
t=
则tanθ=
将上述各式代入得到tanθ=
θ=30°
(3)粒子进入磁场后做匀速圆周运动,速度大小为v=
画出轨迹如图,根据几何知识,得D=r+rsinθ
r=
又由qvB=m
解得B=
代入数据解得,B=0.346T
答:(1)微粒进入偏转电场时的速度v大小1×104m/s;
(2)微粒射出偏转电场时的偏转角θ=30°;
(3)为使微粒不会从磁场右边射出,该匀强磁场的磁感应强度B至少为0.346T.
点评:本题是带电粒子在组合场中运动的问题,关键是分析粒子的受力情况和运动情况,用力学的方法处理.
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