题目内容
(1)每个离子从B板上的小孔Q射出时的速度多大?
(2)匀强电场的电场强度E的大小和方向.
(3)现保持电场强度大小不变,方向与原来相反,同时改变MOy区域内磁场的磁感应强度大小(B′≠0),使离子都不能打到x轴上,磁感应强度大小B′应满足什么条件?
分析:(1)根据动能定理求解离子从B板上的小孔Q射出时的速度.
(2)离子在洛伦兹力作用下,做匀速圆周运动,由牛顿第二定律可求出半径;离子在电场中做类平抛运动,根据运动学公式和牛顿第二定律结合可求出电场强度.根据电场中轨迹偏转方向,判断电场强度的方向.
(3)根据几何知识来画出运动轨迹,求出最大半径,并结合牛顿第二定律,求出磁场满足的条件.
(2)离子在洛伦兹力作用下,做匀速圆周运动,由牛顿第二定律可求出半径;离子在电场中做类平抛运动,根据运动学公式和牛顿第二定律结合可求出电场强度.根据电场中轨迹偏转方向,判断电场强度的方向.
(3)根据几何知识来画出运动轨迹,求出最大半径,并结合牛顿第二定律,求出磁场满足的条件.
解答:
解:(1)设离子的速度为v,根据动能定理,有 qUAB=
mv2 ①
代入数据解得v=5.0×105 m/s.②
(2)离子进入磁场B,做圆周运动,由牛顿第二定律有 qvB=m
③
可得r=0.2m ④
作出离子的运动轨迹,交边界OM于N,如图甲所示,OQ=2r,若磁场无边界,一定通过O点,则圆弧QN的圆周角为450,则轨迹圆弧的圆心角为θ=900.过N点作圆弧切线,方向竖直向下,离子垂直电场线进入电场,做类平抛运动y=OO′=r=vt,⑤
x=r=
at2,⑥
a=
,⑦
则E=2.5×105 V/m,方向沿x轴负方向
(3)如图乙所示,由几何关系可知使离子不能打到x轴上的最大半径r′=
m ⑧
设使离子都不能打到x轴上,最小的磁感应强度大小为B0.
则:qvB0=m
⑨
代入数据解得B0=
T=0.3T ⑩
则B′≥0.3T
答:
(1)每个离子从B板上的小孔Q射出时的速度是5.0×105 m/s.
(2)匀强电场的电场强度E的大小是,2.5×105 V/m,方向沿x轴负方向.
(3)现保持电场强度大小不变,方向与原来相反,同时改变MOy区域内磁场的磁感应强度大小(B′≠0),使离子都不能打到x轴上,磁感应强度大小B′应满足B′≥0.3T.
| 1 |
| 2 |
代入数据解得v=5.0×105 m/s.②
(2)离子进入磁场B,做圆周运动,由牛顿第二定律有 qvB=m
| v2 |
| r |
可得r=0.2m ④
作出离子的运动轨迹,交边界OM于N,如图甲所示,OQ=2r,若磁场无边界,一定通过O点,则圆弧QN的圆周角为450,则轨迹圆弧的圆心角为θ=900.过N点作圆弧切线,方向竖直向下,离子垂直电场线进入电场,做类平抛运动y=OO′=r=vt,⑤
x=r=
| 1 |
| 2 |
a=
| Eq |
| m |
则E=2.5×105 V/m,方向沿x轴负方向
(3)如图乙所示,由几何关系可知使离子不能打到x轴上的最大半径r′=
| 0.4 | ||
|
设使离子都不能打到x轴上,最小的磁感应强度大小为B0.
则:qvB0=m
| v2 |
| r′ |
代入数据解得B0=
| ||
| 8 |
则B′≥0.3T
答:
(1)每个离子从B板上的小孔Q射出时的速度是5.0×105 m/s.
(2)匀强电场的电场强度E的大小是,2.5×105 V/m,方向沿x轴负方向.
(3)现保持电场强度大小不变,方向与原来相反,同时改变MOy区域内磁场的磁感应强度大小(B′≠0),使离子都不能打到x轴上,磁感应强度大小B′应满足B′≥0.3T.
点评:考查带电粒子做匀速圆周运动与类平抛运动中,用牛顿第二定律与运动学公式,并结合几何关系来处理这两种运动,强调运动的分解,并突出准确的运动轨迹图.
练习册系列答案
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