氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途。
I.工业上有多种方法来制备氮氦化硅,常见的方法有:
方法一 直接氦化法:在1300~1400℃时,高纯粉状硅与纯氦气化合,其反应方程式为
                                                                           
方法二 化学气相沉积法:在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氦气、氢气反应生成氦化硅和HCl,与方法一相比,用此法制得的氦化硅纯度较高,其原因是            
方法三  Si(NH­24热分解法:先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH­24和一种气体
         (填分子式);然后使Si(NH24受热分解,分解后的另一种产物的分子式为             
II.(1)氨化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氨化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,此盐中存在的化学键类型有                 
(2)已知:25℃,101kPa条件下的热化学方程式:
3Si(s)+2N2(g)==Si3N4(s)  △H=—750.2kJ/mol
Si(s)+2Cl2(g)==SiCl4(g)  △H=—609.6kJ/mol
H2(g)+Cl2(g)==HCl(g) △H=—92.3kJ/mol
请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式:
                                                                     
III.工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下:

已知:X,高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应,Y与X在光照或点燃条件下可反应,Z的焰色呈黄色。
(1)原料B的主要成分是              
(2)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式:                 
(3)上述生产流程中电解A的水溶液时,阳极材料能否用Cu?  (填“能”或“不能”)。
写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式:
阳极:                     ;阴极:                   

 0  53093  53101  53107  53111  53117  53119  53123  53129  53131  53137  53143  53147  53149  53153  53159  53161  53167  53171  53173  53177  53179  53183  53185  53187  53188  53189  53191  53192  53193  53195  53197  53201  53203  53207  53209  53213  53219  53221  53227  53231  53233  53237  53243  53249  53251  53257  53261  53263  53269  53273  53279  53287  203614 

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