【题目】GaN是制造5G芯片的材料,氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题:
(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]___,下列状态的铝中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是___(填标号)。
A.
B.
C.[Ne] D.![]()
(2)8一羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料,可由LiAlH4与(8一羟基喹啉
)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为____;所含元素中电负性最大的是___(填元素符号),C、N、O的杂化方式依次为____、_____和____。
(3)已知下列化合物的熔点:
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔点/°C | 1040 | 1000 | 194 |
①表中卤化物的熔点产生差异的原因是_____。
②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6,二聚体Al2Cl6的结构式为____;其中Al的配位数为____。
(4)GaAs的晶胞结构如图所示,其晶胞参数为apm。
![]()
①紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y,则
__。
②设阿伏加德罗常数的值为NA,则GaAs的密度是___g·cm一3(列出计算表达式)。
【题目】高炉炼铁过程中发生的反应:1/3Fe2O3(s)+CO(g)2/3Fe(s)+CO2(g),已知该反应在不同温度下的平衡常数如下表,下列说法正确的是
温度/℃ | 1000 | 1150 | 1300 |
平衡常数 | 4.0 | 3.7 | 3.5 |
A. △H>0
B. 该反应的平衡常数表达式是![]()
C. 其他条件不变,向平衡体系充入CO2气体,K值减小
D. 其他条件不变,增大压强,平衡往逆向移动