题目内容

8.下列化学用语或元素性质说法正确的是(  )
A.原子核外电子排布式为1s2的元素与原子核外电子排布式为1s22s2的元素化学性质相似
B.NaCl的电子式:
C.F+的结构示意图:
D.Fe3+的最外层电子排布式为3s23p63d5

分析 A.1s2是He元素属于0族元素,1s22s2是Be元素属于第IIA族元素;
B.NaCl是离子化合物,由Na+、Cl-组成,电子式中需要标出电荷;
C.氟原子的核电荷数=9;
D.根据元素符号,判断元素原子的核外电子数,再根据核外电子排布规律来写.

解答 解:A.1s2是He元素属于0族元素,1s22s2是Be元素属于第IIA族元素,二者性质不同,故A错误;
B.氯化钠属于离子化合物,其电子式中需要标出阴阳离子所带电荷,氯化钠正确的电子式为:,故B错误;
C.氟离子核内质子数为9,核外电子数为10,其原子结构示意图为:,故C错误;
D.铁原子失去最外层4s能级2个电子,然后失去3d能级上的1个电子形成Fe3+,核外电子排布式为:1s22s22p63s23p63d5,故D正确.
故选D.

点评 本题考查了基态原子的核外电子排布式、电子式、离子结构示意图以及最外层的电子排布图,注意电子处于全满、半满、全空时最稳定,题目难度不大.

练习册系列答案
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16.现有常温下pH=2的盐酸甲和pH=2的醋酸溶液乙,请根据下列操作回答问题:
(1)常温下0.1mol/L的CH3COOH溶液加水稀释过程,下列表达式的数据一定变小的是A.
A.c(H+)                 B.$\frac{c({H}^{+})}{c(C{H}_{3}COOH)}$     C.c(H+)•c(OH-)         D.$\frac{c(O{H}^{-})}{c({H}^{+})}$
(2)取10mL的乙溶液,加入等体积的水,醋酸的电离平衡向右(填“向左”、“向右”或“不”)移动;另取10mL的乙溶液,加入少量无水醋酸钠固体(假设加入固体前后,溶液体积保持不变),待固体溶解后,溶液中c(H+)/c(CH3COOH)的比值将减小(填“增大”、“减小”或“无法确定”).
(3)相同条件下,取等体积的甲、乙两溶液,各稀释100倍.稀释后的溶液,其pH大小关系为:pH(甲)>pH(乙)( 填“>”、“<”或“=”).
(4)取等体积的甲、乙两溶液,分别用等浓度的NaOH稀溶液中和,则消耗的NaOH溶液的体积大小关系为:V(甲)< V(乙)( 填“>”、“<”或“=”).
(5)已知25℃时,两种酸的电离平衡常数如下:
化学式CH3COOHH2CO3HClO
电离平衡常数K11.8×10-54.3×10-73.0×10-8
K2--5.6×10-11--
下列四种离子结合H+能力最强的是B.
A.HCO3-         B.CO32-          C.ClO-          D.CH3COO-
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(1)新型陶瓷Si3N4的熔点高、硬度大、化学性质稳定.工业上可以采用化学气相沉积法,在H2的保护下,使SiCl4与N2反应生成Si3N4沉积在石墨表面,写出该反应的化学方程式3SiCl4+2N2+6H2$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Si3N4+12HCl;
(2)一种用工业硅(含少量钾、钠、铁、铜的氧化物),已知硅的熔点是1420℃,高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅.一种合成氮化硅的工艺主要流程如图:

①净化N2和H2时,铜屑的作用是除去原料气中的氧气;硅胶的作用是除去生成的水蒸气;
②在氮化炉中3SiO2(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=-727.5kJ/mol,开始时为什么要严格控制氮气的流速以控制温度该反应为放热反应,防止局部过热,导致硅熔化熔合成团,阻碍与N2的接触;体系中要通入适量的氢气是为了将体系中的氧气转化为水蒸气,而易被除去(或将整个体系中空气排尽);
③X可能是硝酸(选填:“盐酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氢氟酸”).
(3)工业上可以通过如图2所示的流程制取纯硅:
①个制备过程必须严格控制无水无氧.SiHCl3遇水剧烈反应,写出该反应的化学方程式SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl;
②假设每一轮次制备1mol纯硅,且生产过程中硅元素没有损失,反应Ⅰ中HCl的利 用率为90%,反应Ⅱ中H2的利用率为93.75%.则在第二轮次的生产中,补充投入HCl和H2的物质的量之比是5:1.

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