题目内容
已知 A、D、E、G、L、M 是核电荷数依次增大的6种短周期主族元素，其中 A 的原子序数与周期序数相等，D、G、L、M 基态原子的最外能层均有2个未成对电子。R＋ 核外有 28 个电子。请回答下列问题：(答题时，A、D、E、G、L、M、R 用所对应的元素符号表示)
(1)E、G、M 的第一电离能由大到小的顺序为________。
(2)右图是由 Q、R、G 三种元素组成的一种高温超导体的晶胞结构，其中 R 为＋2 价，G 为 －2 价。基态 R2＋的核外电子排布式为________；Q的化合价为________。
(3)1 mol 晶体 L 中含有σ键的数目为________。
(4)G与M 可形成 MG3与MG2，MG3分子的空间构型是________，MG2中M原子的杂化方式是________。
(5)在(EA4)2 R(MG4)2 中存在的化学键除极性键外，还有________(填字母)。
a．离子键 b．氢键
c．配位键 d．金属键
解析 根据题意，可知 A、R分别是H和 Cu ，D、G、L、M 分别碳、氧、硅和硫，E 是氮。
(1)N和O处于同一周期，但是N位于第ⅤA 族，所以第一电离能N＞O；O和S处于同一主族，所以第一电离能 O＞S 。
(2)注意晶体中是Cu2＋，不是Cu，所以其电子排布式是[Ar]3d9。晶体中，R 有8 个位于顶点、1个位于体心，平均为2 个；G 有16个位于棱上、4个位于面心、2个在体内，平均为8个；Q有8个位于棱上、2个位于体内，平均为4个。根据化合物中正负化合价的代数和为零，可知Q 为＋3 价。
(3)晶体硅中，每个 Si 形成4个Si—Si 键，但是每个 Si—Si 键均为两个 Si 共用，所以平均每个 Si 形成2个 Si—Si 键，故1 mol晶体硅中含有2NA个σ键。
(4)SO3中σ键电子对为3 ，孤电子对为
＝0，所以价层电子对为3，价层电子对互斥模型为平面三角形，分子构型为平面三角形。SO2 中σ键电子对为2，孤电子对为
＝1，所以价层电子对为3，有3个杂化轨道，即 sp2 杂化。
(5)含有金属元素和活泼非金属元素，所以存在离子键；NH
内含有配位键。
答案 (1)N＞O＞S (2)[Ar]3d9 ＋3 (3)2NA
(4)平面三角形 sp2杂化 (5)ac
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O2(g)===H2O(l)的ΔH＝______kJ·mol－1。
、—CH3、CH
O2(g)===2CO2(g)＋H2O(l)