题目内容
【化学——选修3:物质结构】砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga As,第一电离能Ga As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为 ,其中As的杂化轨道类型为 。
(4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是 。
(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为
,其晶胞结构如图所示。
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该晶体的类型为 。Ga与As的摩尔质量分别为
和
,原子半径分别为
和
,阿伏加德罗常数值为
,则
晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为 。(已知1m=1012pm)
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