题目内容
(1)比较A、B、C的第一电离能大小:
(2)AB2-离子的空间构型为
(3)在A的氢化物(A2H4)分子中,A原子轨道的杂化类型是
(4)元素A、C形成的化合物熔点很高,但比B、C形成的化合物熔点低,其原因是
(5)元素D的外围电子排布式为
(6)元素B和D形成的一种化合物的晶胞如图所示,该化合物的化学式为
考点:位置结构性质的相互关系应用,元素电离能、电负性的含义及应用,判断简单分子或离子的构型,晶胞的计算
专题:
分析:元素A原子中s能级的电子数比p能级的电子数多1个,A只能含有2个电子层,A的2p轨道电子3,则A为N元素;元素C的最高价和最低价代数和等于0,为第ⅣA族,由于原子序数A<C,则C为Si元素;元素D的原子序数为24,则D为Cr元素;元素B原子最外层电子数比是内层电子数的2倍,则B含有两个电子层,最外层含有6个电子,则B为O元素,据此结合元素周期律知识进行解答.
解答:
解:元素A原子中s能级的电子数比p能级的电子数多1个,A只能含有2个电子层,A的2p轨道电子3,则A为N元素;元素C的最高价和最低价代数和等于0,为第ⅣA族,由于原子序数A<C,则B为Si元素;元素D的原子序数为24,则D为Cr元素;元素B原子最外层电子数比是内层电子数的3倍,则B含有两个电子层,最外层含有6个电子,则B为O元素,
(1)同周期自左而右元素第一电离能呈增大趋势,但N元素原子2p能级容纳3个电子,处于半满稳定状态,能量较低,第一电离能高于同周期相邻元素,故第一电离能:N>O>C,同一主族从上到下第一电离能逐渐增大,则第一电离能:C>Si,则N、O、Si的第一电离能大小为:N>O>Si,
故答案为:N>O>Si;
(2)AB2-离子为NO2-,NO2-中N价电子为5,所以杂化轨道数=(5+1)÷2=3,所以N原子杂化方式为sp2,所以NO2-的空间构型为V型或角型,
故答案为:V型或角型;
(3)A2H4分子为N2H4,N2H4分子中氮原子的加成电子对=3+1=4,含有一个孤电子对,N原子轨道的杂化类型是sp3,
故答案为:sp3;
(4)元素A、C形成的化合物为氮化硅,B、C形成的化合物为二氧化硅,二者都是原子晶体,具有较高熔点,共价键键能越高、键长越短,则熔点越高,由于Si-O键的键能大于Si-N键,则二氧化硅的熔点较高,
故答案为:二者都是原子晶体,Si-O键的键能大于Si-N键;
(5)Cr元素为24号元素,原子核外有24个电子,所以核外电子排布式为:1s22s22p63s23p63d54s1,则其外围电子排布式为:3d54S1,
故答案为:3d54S1;
(6)B、D分别为O、Cr原子,原子位于体心和面心,数目为4×
+2=4,Cr位于顶点和体心,数目为:8×
+1=2,数目之比为Cr:O=1:2,化学式为:CrO2,
故答案为:CrO2.
(1)同周期自左而右元素第一电离能呈增大趋势,但N元素原子2p能级容纳3个电子,处于半满稳定状态,能量较低,第一电离能高于同周期相邻元素,故第一电离能:N>O>C,同一主族从上到下第一电离能逐渐增大,则第一电离能:C>Si,则N、O、Si的第一电离能大小为:N>O>Si,
故答案为:N>O>Si;
(2)AB2-离子为NO2-,NO2-中N价电子为5,所以杂化轨道数=(5+1)÷2=3,所以N原子杂化方式为sp2,所以NO2-的空间构型为V型或角型,
故答案为:V型或角型;
(3)A2H4分子为N2H4,N2H4分子中氮原子的加成电子对=3+1=4,含有一个孤电子对,N原子轨道的杂化类型是sp3,
故答案为:sp3;
(4)元素A、C形成的化合物为氮化硅,B、C形成的化合物为二氧化硅,二者都是原子晶体,具有较高熔点,共价键键能越高、键长越短,则熔点越高,由于Si-O键的键能大于Si-N键,则二氧化硅的熔点较高,
故答案为:二者都是原子晶体,Si-O键的键能大于Si-N键;
(5)Cr元素为24号元素,原子核外有24个电子,所以核外电子排布式为:1s22s22p63s23p63d54s1,则其外围电子排布式为:3d54S1,
故答案为:3d54S1;
(6)B、D分别为O、Cr原子,原子位于体心和面心,数目为4×
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故答案为:CrO2.
点评:本题考查了位置、结构与性质关系的综合应用,题目难度中等,熟练掌握原子结构与元素周期表、元素周期律的关系为解答关键,试题知识点较多、综合性较强,充分考查了学生灵活运用基础知识的能力.
练习册系列答案
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| ||
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