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GaAs是一种半导体材料，Ga、As分别位于元素周期表的ⅢA族、ⅤA族。

(1)Ga原子的最外层电子数是_____________,As元素的最高正价是_____________，最低负价是_____________。

(2)ⅣA族中的C和Si也可形成与GaAs类似的化合物，该化合物也能用作半导体材料，预计其导电性比晶体硅_____________(填“强”或“弱”)，该化合物的化学式为_____________。

(1)3  +5  -3  (2)弱  SiC

练习册系列答案
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Ga和As在一定条件下可以合成GaAs，GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等．
（1）Ga在元素周期表的位置是
第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
，As的原子结构示意图
．
（2）Ga的原子核外电子排布式为：
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
．
（3）GaCl3和AsF3的空间构型分别是：GaCl3
平面三角形
平面三角形
，AsF3
三角锥形
三角锥形
．
（4）第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC，其结构跟金刚石相似，则SiC属于
原子
原子
晶体，并写出其主要的物理性质
硬度大、熔点高
硬度大、熔点高
  （任2种）．
（5）第一电离能：As
＞
＞
Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化锌的晶胞中（结构如图所示），硫离子的配位数是
4
4
．
（7）二氧化硒分子的空间构型为
V形
V形
，写出它的1个等电子体的分子式
O3（或SO2）
O3（或SO2）
．
GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第VA族．
（1）Ga和As的核电荷数分别是
 
．
（2）GaAs中Ga和As的化合价分别是
 
．
（3）第IVA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料，该化合物半导体材料的化学式可表示为
 
，C和Si原子之间形成
 
 键，在该化合物的晶体中，1个C原子与
 
个Si原子相连．
（4）写出能说明碳酸的酸性大于硅酸的酸性的离子反应方程式
 
．

GaAs是一种半导体材料，Ga、As分别位于元素周期表的ⅢA族、ⅤA族．

(1)Ga原子的最外层电子数是________，As元素的最高正价是________，最低负价是________．

(2)ⅣA族中的C和Si也可形成与GaAs类似的化合物，该化合物也能用作半导体材料，预计其导电性比晶体硅________(填“强”或“弱”)，该化合物的化学式为________．

砷化镓(GaAs)是一种半导体材料，Ga、As位于元素周期表的ⅢA族、ⅤA族．

(1)Ga原子、As原子最外层电子数分别是________、________．

(2)GaAs中Ga、As的化合价分别是________、________．

(3)ⅣA族中的C和Si也可以形成与GaAs类似的化合物，该化合物也能作为半导体材料．试推断该化合物的化学式为________．

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