题目内容
砷化镓属于第三代半导体,其晶胞结构如下图所示。请回答下列问题:
(1)下列说法中正确的是 。
A.电负性:As<Ga B.第一电离能:As<Ga
C.砷和镓都属于p区元素 D.砷和镓在不同周期
(2)砷化镓(GaAs)是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃进行制备得到,其中(CH3)3Ga
中镓原子的杂化方式为 。
(3)Ga的基态原子核外电子排布式为 。
(4)AsH3的沸点比NH3 ,其原因是 。
练习册系列答案
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几种短周期元素的原子半径及主要化合价如下表:
| 元素代号 | X | Y | Z | W |
| 原子半径/pm | 160 | 143 | 70 | 66 |
| 主要化合价 | +2 | +3 | +5、+3、-3 | -2 |
下列叙述正确的是:
A.X、Y元素的金属性X<Y
B.一定条件下,W单质可以将Z单质从其氢化物中置换出来
C.一定条件下,Z单质与W的常见单质直接生成ZW2
D.Y的最高价氧化物对应的水化物能溶于稀氨水