题目内容
10.下列各组三种元素中,属于同一周期的是( )| A. | C、H、O | B. | F、Cl、Br | C. | Li、Be、B | D. | Si、S、P |
分析 原子的核外电子层数相同时,则在元素周期表中位于同一周期,以此来解答.
解答 解:A、H只有1个电子层,而C、O有2个电子层,则不在同一周期,故A错误;
B、F有2个电子层,Cl有3个电子层,Br有4个电子层,则不在同一周期,故B错误;
C、Li、Be、B都有2个电子层,所以在同一周期,故C正确;
D、Si、P、S都有3个电子层,则在同一周期,故D正确;
故选DC.
点评 本题考查元素在周期表中的位置,明确原子的电子排布与元素在周期表中的位置关系是解答本题的关键,难度不大.
练习册系列答案
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1.某饱和一元醛和饱和一元酮的混合物共0.1mol,质量为5.8g,此混合物和足量的银氨溶液发生银镜反应可析出8.64g银,则该混合物中的醛是( )
| A. | HCHO | B. | CH3CHO | C. | CH3CH2CHO | D. | CH3CH2CH2CHO |
18.下列各组分子中,都属于含极性键的非极性分子的是( )
| A. | CO2 SO2 | B. | C2H4 CH4 | C. | C60 C2H4 | D. | NH3 HCl |
5.下列关于工业生产的叙述中,错误的是( )
| A. | 制普通玻璃的主要原料是纯碱、石灰石、石英 | |
| B. | 氨是制作氮肥、硝酸、铵盐的重要原料 | |
| C. | 将氢气和氯气混合光照生成氯化氢,溶于水制得盐酸 | |
| D. | 制造普通水泥的主要原料是黏土、石灰石 |
2.下列物质属于强电解质的是( )
| A. | CH3COOH | B. | BaSO4 | C. | NH3H2O | D. | SO3 |
19.用惰性电极实现电解,下列说法正确的是( )
| A. | 电解稀硫酸溶液,实质上是电解水,故溶液的pH不变 | |
| B. | 电解稀氢氧化钠溶液,要消耗OH-,故溶液的pH减小 | |
| C. | 电解氯化钾溶液,在阴极上和阳极上析出的产物的物质的量之比为1:1 | |
| D. | 电解硫酸钠溶液,在阴极上和阳极上析出的产物的物质的量之比为1:2 |
20.高纯晶体硅是信息技术的关键材料.

(1)硅元素位于周期表的位置第三周期第ⅣA族.下面有关硅材料的说法中正确的是BCD(填字母).
A.碳化硅化学性质稳定,可用于生产耐高温水泥
B.氮化硅硬度大、熔点高,可用于制作高温陶瓷和轴承
C.高纯度的二氧化硅可用于制造高性能通讯材料---光导纤维
D.普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的,故在玻璃尖口点燃H2时出现黄色火焰
E.盐酸可以与硅反应,故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅
(2)工业上用石英砂和焦炭可制得粗硅.已知:图1
请将以下反应的热化学方程式补充完整:SiO2(s)+2C(s)═Si(s)+2CO(g)△H=+638.4 kJ•mol-1
(3)粗硅经系列反应可生成硅烷(SiH4),硅烷分解生成高纯硅.已知硅烷的分解温度远低于甲烷,用原子结构解释其原因:C和Si最外层电子数相同,C原子半径小于Si,Si元素的非金属性弱于C元素,硅烷的热稳定性弱于甲烷.
(4)将粗硅转化成三氯氢硅(SiHCl3),进一步反应也可制得高纯硅.
①SiHCl3中含有的SiCl4、AsCl3等杂质对晶体硅的质量有影响.根据下表数据,可用蒸馏(或分馏) 方法提纯SiHCl3.
②用SiHCl3制备高纯硅的反应为SiHCl3(g)+H2(g) $\stackrel{一定条件下}{?}$Si(s)+3HCl(g),不同温度下,SiHCl3的平衡转化率随反应物的投料比(反应初始时,各反应物的物质的量之比)的变化关系如图所示.下列说法正确的是ac(填字母序号).

a.该反应的平衡常数随温度升高而增大
b.横坐标表示的投料比应该是$\frac{n(SiHC{l}_{3})}{n({H}_{2})}$
c.实际生产中为提高SiHCl3的利用率,应适当升高温度
③整个制备过程必须严格控制无水无氧.SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质,写出配平的化学反应方程式:SiHCl3+3H2O═H2SiO3↓+H2↑+3HCl↑.
(1)硅元素位于周期表的位置第三周期第ⅣA族.下面有关硅材料的说法中正确的是BCD(填字母).
A.碳化硅化学性质稳定,可用于生产耐高温水泥
B.氮化硅硬度大、熔点高,可用于制作高温陶瓷和轴承
C.高纯度的二氧化硅可用于制造高性能通讯材料---光导纤维
D.普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的,故在玻璃尖口点燃H2时出现黄色火焰
E.盐酸可以与硅反应,故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅
(2)工业上用石英砂和焦炭可制得粗硅.已知:图1
请将以下反应的热化学方程式补充完整:SiO2(s)+2C(s)═Si(s)+2CO(g)△H=+638.4 kJ•mol-1
(3)粗硅经系列反应可生成硅烷(SiH4),硅烷分解生成高纯硅.已知硅烷的分解温度远低于甲烷,用原子结构解释其原因:C和Si最外层电子数相同,C原子半径小于Si,Si元素的非金属性弱于C元素,硅烷的热稳定性弱于甲烷.
(4)将粗硅转化成三氯氢硅(SiHCl3),进一步反应也可制得高纯硅.
①SiHCl3中含有的SiCl4、AsCl3等杂质对晶体硅的质量有影响.根据下表数据,可用蒸馏(或分馏) 方法提纯SiHCl3.
| 物质 | SiHCl3 | SiCl4 | AsCl3 |
| 沸点/℃ | 32.0 | 57.5 | 131.6 |
a.该反应的平衡常数随温度升高而增大
b.横坐标表示的投料比应该是$\frac{n(SiHC{l}_{3})}{n({H}_{2})}$
c.实际生产中为提高SiHCl3的利用率,应适当升高温度
③整个制备过程必须严格控制无水无氧.SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质,写出配平的化学反应方程式:SiHCl3+3H2O═H2SiO3↓+H2↑+3HCl↑.