题目内容
半导体工业用石英砂做原料通过三个重要反应生产单质硅：
①SiO2(s)＋2C(s)===Si(s)＋2CO(g) ΔH＝＋682.44 kJ·mol－1，
(石英砂) (粗硅)
②Si(s)＋2Cl2(g)===SiCl4(g) ΔH＝－657.01 kJ·mol－1
(粗硅)
③SiCl4(g)＋2Mg(s)===2MgCl2(s)＋Si(s) ΔH＝－625.63 kJ·mol－1
(纯硅)
用石英砂生产1.00 kg纯硅的总放热为
A．2.43×104 kJ B．2.35×104 kJ C．2.23×104 kJ D．2.14×104 kJ
下列一定量的各物质所含原子个数按由大到小的顺序排列的是
①0.5 mol氨气 ②标准状况下22.4 L氦气 ③4 ℃时9 mL水 ④0.2 mol磷酸
A．①④③② B．④③②①
C．②③④① D．①④②③
在Cl-浓度为0.5 mol·L－1的某无色澄清溶液中，还可能含有下表中的若干种离子。
阳离子 | K＋ Al3＋ Mg2＋ Ba2＋ Fe3+ |
阴离子 | NO3- CO32- SiO32- SO42- OH- |
现取该溶液100 mL进行如下实验(气体体积均在标准状况下测定)。
序号 | 实验内容 | 实验结果 |
Ⅰ | 向该溶液中加入足量稀盐酸 | 产生白色沉淀并放出标准状况下0.56 L气体 |
Ⅱ | 将Ⅰ的反应混合液过滤，对沉淀洗涤、灼烧至恒重，称量所得固体质量 | 固体质量为2.4 g |
Ⅲ | 向Ⅱ的滤液中滴加BaCl2溶液 | 无明显现象 |
请回答下列问题。
（1）通过以上实验能确定一定不存在的离子是____ ____。
（2）实验Ⅰ中生成沉淀的离子方程式为___________________________。
（3）通过实验Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ和必要计算，请写出一定存在的阴离子及其浓度（不一定要填满）。
阴离子 | 浓度c/(mol·L－1) | |
① | ||
② | ||
③ | ||
④ |
（4）判断K＋是否存在，若存在，求出其最小浓度，若不存在说明理由：________ _____。