题目内容
（14分）高纯硅晶体是信息技术的重要材料。
（1）在周期表的以下区域中可以找到类似硅的半导体材料的是______（填字母）。
A．过渡元素区域 B．金属和非金属元素的分界线附近
（2）工业上用石英和焦炭可以制得粗硅。已知：
写出用石英和焦炭制取粗硅的热化学方程式 ______。
（3）某同学设计下列流程制备高纯硅：
①Ｙ的化学式为______。
②写出反应Ⅰ的离子方程式 。
③写出反应Ⅳ的化学方程式 。
④步骤Ⅵ中硅烷(SiH4)分解生成高纯硅，已知甲烷分解的温度远远高于硅烷，用原子结构解释其原因是 。
（4）将粗硅转化成三氯硅烷(SiHCl3)，进一步反应也可以制得粗硅。其反应：
SiHCl3 (g) + H2(g) 
Si(s) + 3HCl(g)，不同温度下，SiHCl3的平衡转化率随反应物的投料比（反应初始时各反应物的物质的量之比）的变化关系如图所示。下列说法正确的是 (填字母)。
A．该反应是放热反应
B．横坐标表示的投料比应该是
C．该反应的平衡常数随温度升高而增大
D．实际生产中为提高SiHCl3的利用率，可以适当增大压强
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），其分子中相邻的C和N原子相比，N原子吸引电子能力更 （填“强”或“弱”），从原子结构角度解释原因： 。
4C(g)＋D(g)ΔH<0。在一定温度、压强下达到平衡。平衡时C的物质的量与加入的B的物质的量的变化关系如下图。下列说法正确的是
4Fe(OH)3+8OH+3O2↑。在提纯K2FeO4时采用重结晶、洗涤、低温烘干的方法，则洗涤剂最好选用 （填序号）。（9分）当今世界，能源的发展日益成为全世界、全人类共同关心的问题。
（1）A和B的单质单位质量的燃烧热大，可用作燃料。已知A和B为短周期元素，其原子的第一至第四电离能如下表所示：
电离能(kJ/mol) | I1 | I2 | I3 | I4 |
A | 899 | 1 757 | 14 840 | 21 000 |
B | 738 | 1 451 | 7 733 | 10 540 |
①请根据上述信息，写出A的核外电子排布式：__________________。
②某同学根据上述信息，推断B的核外电子排布如图1所示，该同学所画的电子排布图违背了________。
（2）氢气作为一种清洁能源，必须解决它的储存问题，C60可用作储氢材料。
①已知金刚石中碳碳键的键长为154.45 pm，C60中碳碳键的键长为145 pm和140 pm，有同学据此认为C60的熔点高于金刚石，你认为是否正确并阐述理由， 理由：_____________________。
②科学家把C60和K掺杂在一起制造了一种富勒烯化合物，其晶胞如图2所示，该物质在低温时是一种超导体。该物质中K原子和C60分子的个数比为____________。
③继C60后，科学家又合成Si60、N60，请比较C、Si、N原子电负性由大到小的顺序 。Si60分子中每个硅原子只跟相邻的3个硅原子形成共价键，且每个硅原子最外层都满足8电子稳定结构，则一个Si60分子中所含π键的数目为__________。