Question

拆开1mol化学键所吸收的能量是该化学键的键能，它的大小可以衡量化学键的强弱．

化学键	Si-O	Si-Cl	H-H	H-Cl	Si-Si	Si-C
键能/kJ?mol-1	460	360	436	431	176	347

下列说法中错误的是（　　）

• A、SiCl₄的熔点比SiC低
• B、拆开1 mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ
• C、HCl的熔点比H₂高
• D、拆开1 mol晶体SiC中的化学键所吸收的能量为1388kJ

Answer 1

分析：A．SiCl₄的是分子晶体，SiC是原子晶体，熔点原子晶体＞分子晶体；
B．晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构，每个Si原子形成4个Si-Si键，每个Si-Si键为1个
Si原子通过

1

2

Si-Si键，所以1mol晶体硅中含有Si-Si键为1mol×4×

1

2

=2mol；
C．范德华力越大熔沸点越高；
D．晶体SiC中1个Si原子与周围的4个C形成正四面体空间网状结构，每个Si原子形成4个Si-C键，每个Si-C键为1个Si原子通过

1

2

Si-C键，所以1mol晶体硅中含有Si-C键为1mol×4×

1

2

=2mol．

解答：解：A．SiCl₄的是分子晶体，SiC是原子晶体，熔点原子晶体＞分子晶体，所以SiCl₄的熔点比SiC熔点低，故A正确；
B．晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构，每个Si原子形成4个Si-Si键，每个Si-Si键为1个
Si原子通过

1

2

Si-Si键，所以1mol晶体硅中含有Si-Si键为1mol×4×

1

2

=2mol，拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ/mol×2mol=352kJ，故B错误；
C．相对分子质量越大，范德华力越大，熔沸点越高，故C正确；
D．晶体硅中1个Si原子与周围的4个C形成正四面体空间网状结构，每个Si原子形成4个Si-C键，每个Si-C键为1个Si原子通过

1

2

Si-C键，所以1mol晶体硅中含有Si-C键为1mol×4×

1

2

=2mol，拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为347kJ/mol×2mol=694kJ，故D正确．
故选B．

点评：本题考查晶体类型与性质、键能概念及键能键长的运用等，难度中等，BD选项为易错点，要根据晶体结构判断1mol晶体硅中含有Si-Si键为2mol．