题目内容
（10分）化合物F是一种调香剂，结构为
；以化合物A为原料合成F的工艺流程如下：
根据上述信息回答下列问题：
（1）化合物F不能发生的反应类型有 （填序号）。
A．加成反应 B．醋化反应 C．水解反应 D．加聚反应
（2）化合物A的结构简式为 ；分子中不同化学环境的氢核磁共振谱峰面积比为
（3）反应④的化学方程式为
（4）化合物F反式异构体结构简式为
下表是在相同温度下三种酸的一些数据，下列判断正确的是
酸 | HX | HY | HZ | ||
浓度（mol/L） | 0.12 | 0.2 | 0.9 | 1 | 1 |
电离度 | 0.25 | 0.2 | 0.1 | 0.3 | 0.5 |
电离常数 | K1 | K2 | K3 | K4 | K5 |
A．在相同温度，从HX的数据可以说明：弱电解质溶液，浓度越低，电离度越大，且K1＞K2＞K3=0.01
B．室温时，若在NaZ溶液中加水，则c（Z-）/ [c（HZ）• c（OH-）]的比值变小，若加少量盐酸，则比值变大
C．等物质的量的NaX、NaY和NaZ的混合，c（X-）+c（Y-）-2c（Z-）=2c（HZ）-c（HX）-c（HY），且c（Z-）<c（Y-）<c（X-）
D．在相同温度下，K5＞K4＞K3
→Fe
B．Zn→ Zn2＋(19分)晶体硅是信息科学和能源科学中的一种重要材料，可用于制芯片和太阳能电池等，.以下是工业上制取纯硅的一种方法.
已知：在一定条件下可发生反应：Si(s)＋3HCl(g) 
SiHCl3(g)＋H2(g) ΔH<0
I.反应②、③均需要加热，有如下两个温度区间分别供两反应选择，你认为反应②应选择_______（填序号字母），原因是_______________；
a .520~530K B．1350~1360K
II.现在实验室模拟工业上粗硅提纯的过程，已知SiHCl3遇水强烈水解，其他相关数据如下表所示：
物质 | SiCl4 | SiHCl3 | AlCl3 | FeCl3 |
沸点/℃ | 57.7 | 33.0 | － | 315 |
升华温度/℃ | － | － | 180 | 300 |
（1）现用如下装置进行模拟反应②的过程。实验室制HCl的反应原理为：
2NaCl(s) + H2SO4(浓) 
2HCl↑ + Na2SO4
A中是HCl的发生装置，你认为应选择下列哪套装置？____________（填装置的序号字母），装置D中碱石灰的作用为__________________、___________________；
（2）已知液态粗品SiHCl3中含有杂质SiCl4、AlCl3、FeCl3等，则流程中操作①为_____________(填操作名称)，下列不是该操作所需的仪器是____________________（填装置序号字母）；
a．冷凝管 b． 圆底烧瓶 c． 蒸馏烧瓶 d． 分液漏斗 e.温度计 f. 接受器
（3）用SiHCl3与H2反应制备纯硅的装置如下：
①按图示组装好仪器后，下列实验步骤的正确顺序为____________（填步骤的序号字母），
A．打开甲装置分液漏斗旋塞，滴加稀硫酸，反应生成H2；
B．向装置中添加药品；
C．打开丙装置分液漏斗的旋塞，滴加SiHCl3，并加热相应装置；
D．检查装置气密性；
e．停止向丙装置滴加SiHCl3，并停止加热相应装置；
f．停止通H2；
步骤c中需要加热的装置为____________（填装置序号“甲”、“乙”、“丙”、“丁”）
②该套装置的设计缺陷是________________________。