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巨磁电阻效应

1988年阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔发现,在铁、铬相间的三层复合膜电阻中(如图甲),微弱的磁

场可以导致电阻大小的急剧变化,这种现象被命名为“巨磁电阻效应”.

更多的实验发现,并非任意两种不同种金属相间的三层膜都具有“巨磁电阻效应”.组成三层膜的两

种金属中,有一种是铁、钴、镍这三种容易被磁化的金属中的一种,另一种是不易被磁化的其他金属,才可能产生“巨磁电阻效应”.

进一步研究表明,“巨磁电阻效应”只发生在膜层的厚度为特定值时.用R0表示未加磁场时的电阻,R表示加入磁场后的电阻,科学家测得铁、铬组成的复合膜R与R0之比与膜层厚度d(三层膜厚度均相同)的关系如乙图所示.

1994年IBM公司根据“巨磁电阻效应”原理,利用铁、铬组成的复合膜研制出“新型读出磁头”,将磁场对复合膜阻值的影响转换成电流的变化来读取信息.

(1)以下两种金属组成的三层复合膜可能发生“巨磁电阻效应”的是

A.铜、银 B.铁、铜 C.铜、铝 D.铁、镍

(2)对铁、铬组成的复合膜,当膜层厚度是2.2nm时,这种复合膜电阻 (选填“具有”或“不具有”)“巨磁电阻效应”.

(3)丙图是硬盘某区域磁记录的分布情况,其中1表示有磁区域,0表示无磁区域,将“新型读出磁头”组成如图所示电路,当磁头从左向右匀速经过该区域过程中,电流表读数变化情况应是丁图中的

 

 0  150016  150024  150030  150034  150040  150042  150046  150052  150054  150060  150066  150070  150072  150076  150082  150084  150090  150094  150096  150100  150102  150106  150108  150110  150111  150112  150114  150115  150116  150118  150120  150124  150126  150130  150132  150136  150142  150144  150150  150154  150156  150160  150166  150172  150174  150180  150184  150186  150192  150196  150202  150210  235360 

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