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一、单项选择题
1．D 2．C 3．B 4．C 5．D 6．C 7．A 8．B
二、不定项选择题
9．D 10．BC 11．D 12．AC 13．CD 14．A
三、非选择题（本题包括6小题，共60分）
15．（12分）
（1）500mL容量瓶 (1分)、玻璃棒(1分) 淀粉溶液 (1分)
（2）碱式(2分) 滴入最后一滴硫代硫酸钠溶液，溶液蓝色褪去，且半分钟内不恢复。(2分)（3）为保证I－全部转化为I2，所加氧化剂应稍过量。如果选用新制氯水或KMnO4作氧化剂，则过量的这些氧化剂在滴定时会氧化硫代硫酸钠而导致测定结果偏大。(2分)
（4）0.06410% (3分)
16．(8分)
（1）
(1分) CO(NH2)2 (1分)
（2） N2＋Al2O3＋
3CO＋2AlN (2分)
（3） AlN＋OH－＋H2O ＝AlO
＋NH3↑ (2分)
（4） ④⑦ (2分)
17．（8分）
（1）温度较低（2分）
（2）AC（2分）
（3）2Fe3+ + 3ClO－ + 10 OH－ ＝ 2FeO4－+ 3Cl－+ 5H2O （2分）
（4）B、D（2分）
18．（10分）
（1）CH4（g）＋2NO2（g）＝ N2（g）＋CO2（g）＋2H2O（g）
△H＝一867 kJ?mol一1 (2分)
（2） Na2S＋2H2O
S↓＋H2↑＋2NaOH (2分) 或S2－＋2H2OS↓＋H2↑＋2OH－
（3）Ksp(HgS)<Ksp(FeS) （2分） 因发生Hg2++FeS=HgS+Fe2+，产生的Fe2+可被氧化为Fe3+，Fe3+水解形成Fe(OH)3胶体，吸附悬浮杂质而净化水（2分）
（4）尿素法成本低，节约能源。（2分）
19．（12分）
（1） （2分）
（2） 3种 （2分）
（3） 6 （2分）
（4）A： 
（2分）
② 过氧化物、HBr（1分）
 |
B： （2分） ④ 浓硫酸（1分）
20．（10分）
（1）不能 (1分) BaCO3会与胃酸反应产生Ba2+使人中毒 (2分) 或说由于存在溶解平衡：BaCO3(s) 
Ba2+(aq)+CO32-(aq)，服下BaCO3后，胃酸可与CO32-反应生成CO2和水，CO32-浓度降低，BaCO3的沉淀溶解平衡向右移动，Ba2+浓度增大引起人体中毒。
（2）BaSO4(s)
Ba2+(aq)+SO42-(aq)
C（Ba2+）=1．1×10-10／0．36 =3．1×10-10 < 2×10-3mol?L-1
可以有效除去Ba2+ (3分)
（3）Ba2+ ~ BaCrO4 ~
Cr2O72-~
I2~ 3S2O32-
1mol 3mol
36.00×0.100×10-3mol
c(Ba2+)
mol?L-1
（4分）
四、选做题（本题包括1小题，共12分）
21．（12分）
（1）1s22s22p63s23p63d104s24p1 （2分）
（2）ACD （2分）
（3）非极性分子（2分） 三角锥 （2分） sp2 （2分）
（4）NH3分子间能形成氢键，而AsH3分子间不能形成氢键 （2分）
Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 。
（2）下列说法正确的是 （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是 （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：
（1）晶体中Ca2+的配位数为 。
（2）已知Ca2+的半径为a cm，O2-的半径为b cm，NA代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为 g/cm3。（用含a、b、NA的代数式表示）
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Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 。
（2）下列说法正确的是 （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是 （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：
（1）晶体中Ca2+的配位数为 。
（2）已知Ca2+的半径为a cm，O2-的半径为b cm，NA代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为 g/cm3。（用含a、b、NA的代数式表示）
Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 。
（2）下列说法正确的是 （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是 （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：
（1）晶体中Ca2+的配位数为 。
（2）已知Ca2+的半径为a cm，O2-的半径为b cm，NA代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为 g/cm3。（用含a、b、NA的代数式表示）
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（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 。
（2）下列说法正确的是 （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是 （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：
（1）晶体中Ca2+的配位数为 。
（2）已知Ca2+的半径为a cm，O2-的半径为b cm，NA代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为 g/cm3。（用含a、b、NA的代数式表示）
第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．试回答：（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为
（2）下列说法正确的是
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由（CH3）3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是
（4）如图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子，请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子．