Ⅰ．第ⅢA.VA元素组成的化合物GaN.GaP.GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料.其晶体结构与单晶硅相似.试回答: (1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 . (2)下列说法正确的是 . A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN.GaP.GaAs均为分子晶体 C．电负性:As＞Ga D．第一电离能Ga＞As (3)GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一� 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

题目内容

Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：

（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为。

（2）下列说法正确的是（选填序号）。

A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体

C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是（填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为。

Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca²⁺的配位数为。

（2）已知Ca²⁺的半径为a cm，O^2-的半径为b cm，N_A代表阿伏加德罗常数，

该晶体的密度为 g/cm³。（用含a、b、N_A的代数式表示）

【答案】

Ⅰ（1）

（2）AC

（3）非极性分子 sp²

Ⅱ（1） 6

（2）

【解析】

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（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为

1s²2s²2p⁶3d¹⁰4s²4p¹

．
（2）下列说法正确的是

（选填序号）．
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由（CH₃）₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是

非极性分子

（填“极性分子”或“非极性分子”）．（CH₃）₃Ga中镓原子的杂化方式为

sp²

．
（4）如图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子，请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子．