题目内容
Ⅰ.第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。试回答:
(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 。
(2)下列说法正确的是 (选填序号)。
A.砷和镓都属于p区元素 B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C.电负性:As>Ga D.第一电离能Ga>As
(3)GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是 (填“极性分子”或“非极性分子”)。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
Ⅱ.氧化钙晶体的晶胞如图所示,试回答:
(1)晶体中Ca2+的配位数为 。
(2)已知Ca2+的半径为a cm,O2-的半径为b cm,NA代表阿伏加德罗常数,
该晶体的密度为 g/cm3。(用含a、b、NA的代数式表示)
(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 。
(2)下列说法正确的是 (选填序号)。
A.砷和镓都属于p区元素 B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C.电负性:As>Ga D.第一电离能Ga>As
(3)GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是 (填“极性分子”或“非极性分子”)。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
Ⅱ.氧化钙晶体的晶胞如图所示,试回答:
(1)晶体中Ca2+的配位数为 。
(2)已知Ca2+的半径为a cm,O2-的半径为b cm,NA代表阿伏加德罗常数,
该晶体的密度为 g/cm3。(用含a、b、NA的代数式表示)
Ⅰ(1)
(2)AC
(3)非极性分子 sp2
Ⅱ(1) 6
(2)
(2)AC
(3)非极性分子 sp2
Ⅱ(1) 6
(2)
略
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